导带、价带、禁带.费米能级.docx

【半导体】 导带 conduction band 导带是由自由电子形成的能量空间。即固体结构内自由运动的电子所 具有的能量范围。 对于金属，所有价电子所处的能带就是导带。 对于半导体，所有价电子所处的能带是所谓价带，比价带能量更高的 能带是导带。在绝对零度温度下，半导体的价带 (valenee band)是满带(见 能带理论)，受到光电注入或热激发后，价带中的部分电子会越过禁带 (forbidden ban d/ba nd gap) 进入能量较高的空带， 空带中存在电子后即成为 导电的能带一一导带。 势能动能：导带底是导带的最低能级，可看成是电子的 势能，通常，电子 就处于导带底附近；离开导带底的能量高度，则可看成是电子的 动能。当 有外场作用到半导体两端时，电子的势能即发生变化，从而在能带图上就 表现出导带底发生倾斜；反过来，凡是能带发生倾斜的区域，就必然存在 电场(外电场或者 内建电场)。 价带与禁带 价带(vale nee band )或称价电带，通常是指半导体或绝缘体中，在 0K时 能被电子占满的最高能带。对半导体而言，此能带中的能级基本上是连续的。 全 充满的能带中的电子不能在固体中自由运动。 但若该电子受到光照，它可吸收足 够能量而跳入下一个容许的最高能区， 从而使价带变成部分充填，此时价带中留 下的电子可在固体中自由运动。 禁带，英文名为：Forbidden Ba nd 常用来表示价带和导带之间的能态密 度为零的能量区间。禁带宽度的大小决定了材料是具有半导体性质还是具有绝缘 体性质。半导体的禁带宽度较小，当温度升高时，电子可以被激发传到导带，从 而使材料具有导电性。绝缘体的禁带宽度很大，即使在较高的温度下，仍是电的 不良导体。无机半导体的禁带宽度从 0.1?2.0eV，n- n共轭聚合物的能带隙大致在 1.4?4.2eV,绝缘体的禁带宽度大于 4.5eV。 （3）导带与价带的关系： “电子浓度=空穴浓度”，这实际上就是本征半导体的特征，因此可以说，凡 是两种载流子浓度相等的半导体， 就是本征半导体。 注意：不仅未掺杂的半导体是本征半导体，就是掺杂的半导体，在一定条 件下（例如高温下）也可以转变为本征半导体。 空穴，载流子： 价带中的许多电子（价电子）并不能导电，而少量的价电 子空位一一空穴才能导电，故称空穴是载流子。空穴的最低能量 一一势能, 也就是价带顶，通常空穴就处于价带顶附近。 禁带宽度：价带顶与导带底之间的能量差，就是所谓半导体的禁带宽度。 这就是产生本征激发所需要的最小平均能量。 施主与受主： 对于掺杂半导体，电子和空穴大多数是由杂质来提供的。能 够提供电子的杂质称为施主；能够提供空穴的杂质称为 受主。施主的能级 处在靠近导带底的禁带中；受主的能级处在靠近价带顶的禁带中。 实际上未 掺杂半导体的费米能级在价带和导带的中央附近。 n型半导体的费米能级在导带底附近， 而 p型在价带顶附近。 能隙 能隙(Bandgap energy gap )或译作能带隙， 在固态物理学中泛指半导体 或是绝缘体的价带(vale nee ba nd )顶端至传导带(con duction ba nd )底 端的能量差距。 费米能： 根据量子力学理论，具有半奇数自旋量子数(通常为 1/2 )的费米子，如电 子，遵循泡利不相容原理，即一个量子态只能被一个粒子所占据。因此，费米子 在能级中的分布遵循费米-狄拉克分布。一个由无相互作用的费米子组成的系统 的基态模型可按照如下的方法构造： 从无粒子系统开始，将粒子逐个填入现有而 未被占据的最低能量的量子态，直到所有粒子全部填完。此时，系统的费米能就 是最高占据分子轨道的能量。 费米面： 金属中的自由电子满足泡利不相容原理，其在单粒子能级上分布几率遵循费 米统计分布f(E) = 1 / (1 + expE - Ef / KbT)(其中Ef表示费米能级，Kb表示玻 尔兹曼常数，T表示温度)当T=0K时，f(E)= 1。表示在绝对零度下，电子将占 据E壬f的全部能级，而大于Ef的能级将全部空着，自由电子的能量表示为 E (k) =?2k/2m,它在k空间的等能面是一球面，将 E=Ef等能面称为费米面。 注意: 半导体中费米能级和金属费米能级是不同的， 金属费米能级就是 0K 下电子 占据的最高能级。 半导体中所谓费米能级实际上是电子系统的化学势， 是由热力 学统计物理中推导的一个量，所以说如果从金属费米能级角度理解的就错了。 Welcome To Download !!! 欢迎您的下载，资料仅供参考！