集成电路设计导论 集成电路设计导论 Ch04集成电路器件工艺.pptx

第四章 集成电路器件工艺 4.1 双极型集成电路的基本制造工艺 4.2 MESFET和HEMT工艺 4.3 MOS工艺和相关的VLSI工艺 4.4 BiCMOS工艺 1 第四章 集成电路器件工艺 表 4.1 IC 材料、工艺、器件和电路 材料 工艺 Si-Bipo la r N MOS C MOS B iCMOS Si/Ge 器件 电路形式 TTL, ECL ,CML N MOS, SCF L C MOS, SCF L ECL, CMOS ECL/SCFL SCFL 电路规模 LSI D, BJT, R, C, L D, NMOS, R, C VLS I D, P/N- MOS , R, C D, BJT, P /N- MOS, R, C D, HBT/ HEMT ULS I, GS I VLS I, ULS I LSI Silicon 硅 MESF ET HE MT HBT D, MESF ET, R, C, L D, E/ D-HEMT, R, C, L D, HB T, R, C, L LSI, VLS I LSI, VLS I MS I, LSI MS I GaAs SCFL 砷化镓 ECL, C ML SCFL, CML ECL, C ML HE MT HBT D, HE MT, R, C, L D, HB T, R, C, L InP MS I 磷化铟 2 图4.1 几种IC工艺速度功耗区位图 3 4.1 双极型集成电路的基本制造工艺 4.2 MESFET和HEMT工艺 4.3 MOS工艺和相关的VLSI工艺 4.4 BiCMOS工艺 4 4.1.1 双极性硅工艺 „ 早期的双极性硅工艺：NPN三极管 B E C Metal SiO2 p n+ n+ 1 pn-Isolation p+ 2 pn-Isolation n- p+ n+ 3 Buried Layer p- 图4.2 5 „ 先进的双极性硅工艺：NPN三极管 1.4 2 5 6 7 8 图4.2 6 4.1.2 HBT工艺 „GaAs基同质结双极性晶体管并不具有令人满 意的性能 V I R g τ o sw L m L 7 AlGaAs /GaAs基异质结双极性晶体管 ○ ○ E ○ B C (a) (b) 图4.3 GaAs HBT的剖面图(a)和能带结构(b) 8 „GaAs 基 HBT „InP 基 HBT „Si/SiGe的HBT 9 4.2 MESFET和HEMT工艺 随着III/V化合物特别是GaAs工艺的发展， 以MESFET和HEMT为基本元件的集成电路技术 也得到了很大发展。MESFET直接在外延衬底上 形成，而HEMT有复杂得多的层状结构。尽管如 此，它们可以通过一个相似的等效电路建立模 型，并具有相似的性能。对于电路设计者而言 ，它们都属于FET晶体管类型。 10 4.2 MESFET和HEMT工艺 „ GaAs工艺：MESFET 金锗合金 欧姆 欧姆 肖特基 图4.4 GaAs MESFET的基本器件结构 11 MESFET „增强型和耗尽型 „减小栅长 „提高导电能力 12 „ GaAs工艺：HEMT 大量的可高速迁移的电子 图4.5 简单HEMT的层结构 „ 栅长的减小 13 „ GaAs工艺：HEMT工艺的三明治结构 图4.6 DPD-QW-HEMT的层结构 14 Main Parameters of the 0.3 μm Gate Length HEMTs HEMT-Type E-HEMT D-HEMT Parameters V 0.5 V -0.7 V th 200 mA/mm 180 mA/mm I dsmax (V = 0.8 V) gs (V = 0 V) gs G 500 mS/mm 400 mS/mm m Ω Ω R s 0.6 ·m m 0.6 ·m m f 45 GHz 40 GHz T 表 4.2 : 0.3 μm 栅长HEMT的典型参数值 15 不同材料系统的研究 „GaAs „InP „SiGe 16 与Si三极管相比，MESFET和HEMT的缺点为: „跨导相对低; „阈值电压较敏感于有源层的垂直尺寸形状和 掺杂程度； „驱动电流小 „阈值电压变化大：由于跨导大，在整个晶圆 上，BJT的阈值电压变化只有几毫伏，而 MESFET，HEMT由于跨导小，要高十倍多。 17 4.3 MOS工艺和相关的VLSI工艺 18 图4.7 MOS工艺的分类 19 认识MOSFET G Poly S D Oxide Gate + n + n Leff LDrawn Source Drain p-substrate LD + n + n W 线宽(Linewidth), 特征尺寸(Feature Size)指什么？ 2