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Word Word资料 Word Word 资料 宽禁带半导体材料与工艺 1.1宽禁带半导体的概念和发展 宽禁带半导体（WBS）是自第一代元素半导体材料（Si）和第二代化合物半 导体材料（GaAs、GaP、InP等）之后发展起来的第三代半导体材料。这类材料 主要包括SiC （碳化硅）、C-BN （立方氮化硼）、GaN （氮化傢、）AlN （氮化铝）、 ZnSe （硒化锌）以及金刚石等。 第二代半导体GaAs与Si相比除了禁带宽度增大外，其电子迁移率与电子饱 和速度分别是Si的6倍和2倍，因此其器件更适合高频工作。GaAs场效应管器 件还具有噪声低、效率高和线性度好的特点但相比第三代半导体 G