金线键合工艺的质量控制KSY版2012.docVIP

金线键合工艺的质量控制 孙伟（沈阳中光电子有限公司 辽宁 沈阳） 摘要：本文介绍引线（Au Wire）键合的工艺参数及其作用原理，技术要求和相关产品品质管控规范，讨论了劈刀、金线等工具盒原材料对键合质量的影响。 关键词：半导体器件(LED),键合金丝；键合功率；键合时间；劈刀；引线支架 一 引言 半导体器件（光电传感器）LED芯片是采用金球热超声波键合工艺，即利用热能、压力、超声将芯片电极和支架上的键合区利用Au线及Ag线试作中（Cu线也在试验中）对应键合起来，完成产品内、外引线的连接工作。也是当今半导体 IC行业的主要技术课题，因为在键合技术中，会出现设备报警NSOP/NSOL等常规不良，焊接过程中的干扰性等不良，在半导体行业中，键合工艺仍然需要完善，工艺参数需要优化等，键合工艺技术在随着全球经济危机下，随着原材料工艺变革和价格调整下不断探索Bonding新领域的发展。已经建立了相对晚上的Bonding优化条件的体系中，在原材料的经济大战中，工艺技术将进一步推动优化Bonding条件体系 二 技术要求 2.1 键合位置及焊点形状要求 （1）键合第一焊点金球Ball不能有1/4的Bonding到芯片电极之外，不能触及到P型层与N型层分界线。如下图1所示为GaAs单电极芯片Bonding 状态对比Photo： (2) 第二焊点不得超过支架键合区域范围之内，如图2所示. (3)