金属化和多层互连研究.ppt

金属化与多层互连  金属化及其要求 A|在IC中的应用 ■Cu及低K介质的应用 多晶硅及金属硅化物 多层布线技术  金属化及其要求  金属化:金属及其他导电材料在IC中的应用 金属材料的三大应用 (1)栅极材料——作为器件组成部分 (2)接触材料——与半导体材料接触,半 导体与外界的连接桥梁 (3)互连材料——连接各器件,形成电路  TIN. ARC 金屬1,AlCu BPSG P型井區 N型井區 P型磊晶層 P型晶圓  Pb-Sn solder pad Cu-Sn intermetallic Cr-Cu C 3. um SiO, 2. 3 um Alsc Cu 0.85mA.4%cu 2.8μmSio 24μmSiO 4如A国化(u察 SiN Thermal SiO, Silic。n 0.15 um Cr-Cr Ox  Damascene Copper Interconnects 冒口口 口冒冒 Metal3 目冒冒 回口 u Metal  艺/M letal 1 3 Metal 3  2 32KV 4  金属化对材料的要求 (1)好的界面特性(粘附性、界面态等) (2)热、化学稳定性 (3)电导率高 (4)抗电迁移性强 (5)接触电阻小 (6)易加工(沉积、刻蚀、键合)