金属和半导体的接触资料.ppt

第八章金属和半导体的接触 §8,1金属半导体接触及能级图 1.金属和半导体的功函 金属中的电子绝大多数所处的能级都 低于体外能级。 金属功函数的定义:真空中静止电子的 能量E0与金属的E能量之差,即  上式表示一个起始能量等于费米能级 的电子,由金属内部逸出到真空中所 需要的最小值。 E 金属中的电子势阱 Wn越大,金属对电子的束缚越强  在半导体中,导带底EC和价带顶Ey 一般都比E0低几个电子伏特 半导体功函数的定义:真空中静止电子的 能量E0与半导体的E能量之差,即 F=Eo -(E F2s E W与杂质浓度有关 电子的亲合能 E x=Eo-EC  半导体的功函数又写为 W=x+EC-(EF=x+E 2接触电势差 E 0 E wmw E (EE)mM (a)接触前 Ev  q v-vm 金属表面负电 半导体表面正电 m:金属的电势 V半导体的电势 (b)间隙很大(D原子间距)  平衡时,无电子的净流动相对于(E1)n 半导体的(E下降了 q(Vs -Vm)=WmW 接触电势差: 金属和半导体接触而产生的电势差vm  半导体表面有空间 电荷区 qns EC空间电荷区内有电场 E, 电场造成能带弯曲 因表面势V0 能带向上弯曲 (c)紧密接触  接触电势差一部分降落在空间