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电力电子技术第五版课后习题及答案 第二章 电力电子器件 2-1 与信息电子电路中的二极管相比， 电力二极管具有怎样的结 构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？ 答：1. 电力二极管大都采用垂直导电结构， 使得硅片中通过电流 的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。 2. 电力二极 管在 P 区和 N 区之间多了一层低掺杂 N 区，也称漂移区。低掺 杂 N 区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征 半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂 N 区就可以承受很高的电压 而不被击穿。 2-2. 使晶闸管导通的条件是什么？ 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电 压，并在 门极施加触发电流（脉冲）。或： uAK0 且 uGK0。 2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通 变为关断？ 答：维持晶闸 管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸 管导通的最小电流， 即维持电流。 要使晶闸管由导通变为关断， 可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降 到接近 于零的某一数值以下， 即降到维持电流以下， 便可使导通的晶闸 管关断。 2-4 图 2-27 中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各 波形的电流 最大值均为 Im π4 π4 π25 π4a)b)c) 图 1-43 图 2-27 晶闸管导电波形 解： a) I d1= π21 ππωω4 )(sin t td I m = π2m I (122+) ≈0.2717 I m I 1= π π ωωπ42)()sin (21 t d t I m =2m I π 2143+≈0.4767 I m b) I d2 = π1 ππωω4)(sin t td I m = πmI (122+) ≈0.5434 I m I 2 = ππωωπ42)()sin (1t d t I m =2 2m I π2143+≈0.6741I m c) I d3= π21 20)( πωtd I m =4 1 I m I 3 = 2 02)(21 πωπt d I m =2 1 I m 2-5 上题中如果不考虑安全裕量 , 问 100A 的晶闸管能送 出的平均电流 I d1、I d2、I d3 各为多少？这时，相应的电流 最大值 I m1、I m2、I m3各为多少? 解：额定电流 I T(AV) =100A 的晶闸管，允许的电流有效值 I =157A ，由上题计算结果知 a) I m1≈4767 .0I ≈329.35 ， I d1≈0.2717 I m1≈89.48 2 / 16 b) I m2≈6741.0I ≈232.90, I d2≈0.5434 I m2≈126.56 c) I m3=2 I = 314, I d3=41 I m3=78.5 2-6 GTO和普通晶闸管同为 PNPN结构 , 为什么 GTO能 够自关断 , 而普通晶闸管不