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2019
一、 填空
1. (1)泡利不相容原理 (2)E − E ≫ (3)一样的
0
2 − 2 −
(4)简并半导体 (5) √ 1 ( 0 ) (6) √ 1 ( 0 )
2 2
2. (7)强电离区 (8)过渡区 (9)高温本征激发区
√( )2 ( )2
(10)本征激发 (11)过渡区 (12)0 = + +4
2
3．(13)导带的有效状态密度 (14)温度 (15)半导体的有效质量 (16)小于
4．(17)周期性势场被破坏 (18)声学波散射
(ℏ1)3/2 1
(19)引起载流子散射的附加势场 (20)(0)1/2 ̅ (ℏ1)
0
5-9 B D C E B
二、 简答
1. 从深能级杂质和浅能级杂质考虑。
2. 教材67 页
3. ①略
3+ ∆p
② = − − + [参考尼曼器件第四版公式6.18]
③ 略
4. 略
5. 电子跃迁，吸收或者放出声子，伴随着能量变化，因此能量和准动量
发生变化。上能谷和下能谷曲线的曲率不同，因此有效质量发生变化。
区别：这种跃迁：在不同能谷之间。本征激发：在导带和价带之间。
三、 计算题
115.4
1. ① = 3 ，T = 51.6K
+1
−3.68
2
15 −3 2 ( )
② = 1.9 × 10 ， = 3956 cm / V ∙ S ， = 1.2 /
2. 电中性条件0 = + + 0
①略
②电中性条件： = 1.6555 × 1017−3
近似条件： = 6.555 × 1016−3
电中性条件： = [1 + 2 (∆) 0 ]
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