半导体LED芯片制造基本理论以及生产的技术.ppt

第二讲 半导体LED芯片制造基本理论以及生产技术 ;;一、 LED的半导体基本理论;1、发光二极管的工作原理;; 发光二极管发射的是自发辐射光，没有光学谐振腔对波长的选择，谱线宽，短波长LED谱线宽度为30～50nm。长波长LED的谱线宽度为6～120nm。;发光二极管的工作特性-输出光功率特性;LED 的频率响应为： 式中， 为调制频率， 是对应于调制频率的输出光功率， 为少数载流子（电子）的寿命，定义 为发光二极管的截止频率，当 时， 最高调制频率应低于截止频率。 ;4、LED的频率响应曲线;LD和LED的一般性能比较;外延工艺：衬底 结构设计 缓冲层生长 N型层生长 发光层生长 P型层生长 退火 检测 外延片 芯片工艺：外延片 设计、加工掩模版 光 刻 离子刻蚀 N型电极 P型电极 划片 分检 包装;二、LED芯片的外延;磊晶设备MOCVD机简介(MOCVD System Introduction);30x2 System;;MOCVD;外延片的制程;LED芯片工艺流程图;半导体LED芯片制造基本理论以及生产技术;MOCVD的产能;MOCVD制备外延膜过程;;MOCVD内部反应过程 Ⅲ 族的(CH3)3Ga TMGa (三甲基镓) 、(CH3)3In TMIn (三甲基铟)等，与Ⅴ族特殊气体如：AsH3 (arsine) 砷化氢、PH3 (phosphine)磷化氢、NH3等，通过特殊载体气流送到高温的GaAs晶片、人造蓝宝石等晶片上，在Reactor反应器內的高温下，這些材料发生化学反应，並使反应物沉积在晶片上，而得到磊晶片上形成一层半导体结晶膜，这样就能做成半导体发光材料，如发光二极管等 基本化学反应式： 四元TMGa(g) + AsH3(g) → GaAs(s) +CH4(g) 蓝光TMGa(g) + NH3(g) → GaN(s)+CH4(g)+N2(g)+H2(g); MOCVD技术与设备的设计与应用,其延伸问题包含多学科及其原理： 物理、化学、数学、流体力学、热力学、机械力学、材料学及电磁学等等 Recipe（处方） x MOCVD设备 = 磊晶結果;MOCVD设备及其系統;MOCVD Reactors_the market;Principle of MOCVD;MOCVD growth;MOCVD Growth Criteria;三、LED芯片的制备;芯片制程;丽得晶片厂;LED完整产业链条分为LED外延???、LED芯片、LED封装、LED应用。 晶片厂成立于2008年，环境优美，交通便利，公司所有技术人员120人(比例1/3)。 公司拥有千级无尘室500平方米，万级无尘室3500平方米，配备有世界先进的生产设备。 如：MOCVD、X-ray、PL、可见光光谱仪、ICP、PECVD、激光切割机、进口金相显微镜等等。 ;主要设备; ICP-RIE; PECVD;高精度曝光机;等离子薄膜蒸发台;各种大宗气体设备;等离子薄膜車間 PECVD; 固体发光过程 激 发 吸 收 发 光;LED分类;LED封装 ;从磊晶看LED发光效率;Market Demand;March 2006;March 2007;Nichia’s achieves 150 lm/W white LED (Dec. 2006);Luminaire Efficiency;Lighting Market;半导体LED芯片制造基本理论以及生产技术;四、大功率白光LED技术;两大主类LED;Better Performance for Small LED?;Application;White LED Performance Improvement;;Light Extraction Efficiency;Geometry Effect;Efficiency