电工学与电子关键技术复习题及参考答案.docVIP

选择题 6、欲使放大器净输入信号减弱，应采取反馈类型是（D） A．串联反馈；B并联反馈；C．正反馈；Ｄ．负反馈。 7、由一个三极管组成基础门电路是（B） A．和门；B．非门；C．或门；Ｄ．异或门。 8、在脉冲门电路中，应选择（B）三极管。 A．放大能力强；B．开关速度快；C．价格廉价；Ｄ．集电极最大耗散功率高。 9、数字集成门电路中，现在生产最多且应用最普遍门电路是（D） A．和门；B．非门；C．或门；Ｄ．和非门。 24、对半导体而言，其正确说法是（C） A．P型半导体多数载流子为空穴，所以它带正电；B．N型半导体多数载流子为自由电子，所以它带负电；C．P型半导体和N型半导体本身全部不带电； D．在Ｎ型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子 25、在放大电路中，若测得某晶体管3个极电位分别为9V、4V、3.7V，则这3 个极分别为（A） A． C、B、E； B．C、E、B； C．E、C、B。 26、在放大电路中，若测得某晶体管3个极电位分别为-6V、-2.3V、-2V，则这-2.3 V那个极为（B） A．集电极；B．基极；C．发射极。 27、在放大电路中，若测得某晶体管3个极电位分别为6V、1.2V、1V，则该管为（C） A．NPN型硅管；B． PNP型锗管； C．NPN型锗管；D． PNP型硅管。 28、对某电路中一个NPN型硅管测试，测得UBE0,UBC0,UCE0,?则此管工作在（B） A．放大区；B．饱和区；C．截止区。 29、对某电路中一个NPN型硅管测试，测得UBE0,UBC0,UCE0,?则此管工作在（C） A．放大区；B．饱和区；C．截止区。 30、对某电路中一个NPN型硅管测试，测得UBE0,UBC0,UCE0,?则此管工作在（A） A．放大区；B．饱和区；C．截止区。 31、晶体三极管控制方法为（B） A．输入电流控制输出电压；B．输入电流控制输出电流；C．输入电压控制输出电压。 32、场效晶体管控制方法为（C） A．输入电流控制输出电压；B．输入电压控制输出电压；C．输入电压控制输出电流。 33、射极输出器（A） A．有电流放大作用，没有电压放大作用；B．有电流放大作用，也有电压放大作用； C．没有电流放大作用，也没有电压放大作用。 34、某测量放大电路，要求输入电阻高，输出电流稳定，应引入（B） A．并联电流负反馈；B．串联电流负反馈；C．串联电压负反馈；D．并联电压负反馈。 35、和相等为（C） A．；B．；C．。 36、和相等为（B） A．A+B；B．A+BC；C．。 37、若，则（C） A．ABC=001；B．ABC=110；C．ABC=100。 38、已知函数，则它“和非—和非”表示式为（ B ）。 A. B. C.AB BC 39、组合逻辑电路分析是指（C）。 A．已知逻辑图，求解逻辑表示式过程；B．已知真值表，求解逻辑功效过程；C．已知逻辑图，求解逻辑功效过程。 ③②①（图 4）46、图4所表示晶体管，测得三电极电位分别是，，，则该晶体管类型及各电极名称为：（ A ） ③ ② ① （图 4） A．NPN型，①是集电极、②是基极、③发射极 B．PNP型，①是发射极、②是基极、③集电极 C．NPN型，①是集电极、②发射极、③基极 D．PNP型，①是集电极、②发射极、③基极 47、PNP型晶体三极管处于放大状态时，各极电位关系必需满足：（ B ） A．UCUBUE； B．UCUBUE ； C．UC UE UB； 50、共集电极放大电路电压放大倍数Au( B ) A．大于1； B．小于并靠近1 ； C．等于1 ； D．远大于1． 51、下列哪一个不是逻辑函数表示方法（ C ）。 A．真值表； 　 B．逻辑图； C．波形图； 　 D．逻辑表示式. 53、P型半导体中多数载流子是（ B ） A．自由电子； B．空穴； C．正离子。 三、填空题 6．最常见半导体材料有 硅 和 锗 两种。 7．晶体二极管导通时正向压降：硅管约为 0.6～0.7 V，锗管约为 0.2～0.3 V。通常硅二极管死区电压约为 0.5 V，锗二极管死区电压约为 0.1 V。 =1AB8．逻辑代数三种最基础运算关系有 和 、 或 、 非 ；写出异或逻辑函数表示式Y= =1 A B 9.晶体二极管是由一个 PN结 作为管芯，其最关键电特征是 单向导电性 ：加正向电压时PN结处于 导通 状态，加反向电压PN结处于 截止 状态。 10.晶体三极管有两个PN结，即 发射 结和 集电 结；要含有电流放大作用必需含有外部条件是： 发射结正偏