(完整word版)薄膜体声波谐振器的研究进展(word文档良心出品).docVIP

题目：薄膜体声波谐振器及其研究进展 作者：贾 丽 沙 学号： 2013050203030 薄膜体声波谐振器及其研究进展 摘要 ：薄膜体声波滤波器作为一种发展高频滤波器的全新解决方案 ,比声表面波滤波器 (SAWF) 、陶瓷介质滤波器具有更高的 Q 值 ,低的损耗和在高频时具备更高的功率承受能力。 介绍了薄膜体声波谐振器的研究历史和研究概况 ,薄膜体声波谐振器的原理和 3 种典型结构 具体阐述了薄膜体声波谐振器的关键技术及其材料体系的要求。 关键词 ：微电子机械系统；薄膜体声波谐振器； SMR 结构  , 随着薄膜与微纳制造技术的发展， 电子器件正向微型化、 高密集复用、 高频率和低功耗的方向迅速发展。近年来发展起来的薄膜体声波谐振器（ FBAR ）采用一种先进的谐振技术它是通过压电薄膜的逆压电效应将电能量转换成声波而形成谐振， 这一谐振技术可以用来制作薄膜频率整形器件等先进元器件，薄膜体声波谐振器（ FBAR ）声波器件具有体积小 ,成本低,品质因数（ Q）高、功率承受能力强、频率高（可达 1-10GHz ）且与 IC 技术兼容等特点，  , 适合于工作在 1-10 GHz 的 RF 系统应用，有望在未来的无线通讯系统中取代传统的声表面波（ SAW）器件和微波陶瓷器，因此在新一代无线通信系统和超微量生化检测领域具有广阔的应用前景。 一、 FBAR 的原理及其结构 薄膜体声波谐振器是利用材料的压电性 ,将电能转化为声能 ,声波在介质与空气的界面上 发生反射 ,在两个界面间形成谐振 ,并由逆压电效应转化为电能。 谐振频率上的声波损耗最小 , 因此谐振器只能使特定频率的波通过 ,并通过级联实现带通滤波器的效果。压电薄膜体声波 谐振器的 3 种构造方式如图 1 所示。图 1(a)显示的是一种由衬底边缘支撑的悬空膜结构。 其 典型制作工艺是先在起支撑作用的衬底上淀积一层压电薄膜 ,然后去掉部分的衬底 ,形成悬空 膜结构。图 1(b) 的结构在谐振器下形成一层空气气隙。制作的步骤是采用半导体工艺在 Si 片上表面刻蚀空腔后填充一层牺牲层材料 ,然后在上面制作电极和压电膜构成谐振器 ,最后用 刻蚀技术去除牺牲层 ,由此得到空气气隙。 图 1悬空结构的 FBAR(a) 和填充牺牲层的 FBAR 示意图 (b) 图 2 的结构被称为 SMR(SolidlyMountedResonator) 。SMR 是以 BraggReflector 作为声波的反射镜 ,使得声波得以局限在共振腔内能量不至于损失。其制作方法是以不同声阻抗薄膜 且薄膜精确控制在 1/4 波长厚度所堆叠而成 ,该制作过程需要严格的参数控制以及精良的设备。 图 2SMR 结构的 FBAR 示意图 对于 FBAR 而言 ,特定频率的声波在上下电极的介质  2 空气界面上发生反射  ,在电极、压 电膜和支撑膜构成的复合膜中形成驻波 ,产生谐振。 对于 SMR, 向上传播的声波同样在上电极的介质 2 空气界面反射 ,而向下传播的声波则穿过下电极进入到布拉格反射器中 ,在反射器中两个不同阻抗膜的界面上发生多次反射 ,在电极、压电膜和布拉格反射器的整个结构中形成驻波 ,从而减小谐振能量的损耗。 二、 FBAR 的研究进展 早在 1965 年 Newell 便制成了布拉格反射形的薄膜谐振器。 1967 年制成 CdS 薄膜谐振 器 1980 年实现了在 Si 芯片上生长 znO 制成谐振频率为 500MHz ， Q 值为 9000 的薄膜谐振 器。目前国际上的体声波谐振器技术发展很快，微型化 、性能优良和 VLSI 工艺兼容的体 声波谐振器及其滤波器 日益成为当今国际研究的热点， 出现了一批具有代表性的研究成果。 其中以麻省理工学 院微系统实验室采用 A1N 作为压电材料制成的体声波谐振器为代表。 他 们于 1997 年采用硅刻蚀技术和键合技术，构造出使压电膜悬空的密封腔，得到了中心频率 为 1.35GHz 、Q 值为 540、 Keff 为 6.4、插损为 3dB 的薄膜体声波谐振器。 1998 年他们利用 布拉格反射层技术得到的体声波谐振器频率在 1.8GHz，带宽为 3.6Ao( 即 25MHz) ， Q 值为 400 P.B.Kirby 等于 2000 年研制的体声波滤波器则采用 PZT 作为压电材料，在频率 1.6GHz 时， Q 值为 53， Kt 为 19.1%，带宽 IOOMHz ，插损为 3dB 。2001 年 Agilent Technologies 公司利用 AIN FBAR 制造的 Duplexer ，现在已经开始销售，频率约 1.9GHz，其 Q 值高达 2500， Kt 为 6.5，插损小于 3dB。韩国的 K.W.Kim 等