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电容器阻抗/ESR 频率特性是指什么？ 本专栏为解说电容器基础的技术专栏。 现就电容器的阻抗大小|Z|和等价串联电阻(ESR)的频率特性进行阐述。 　通过了解电容器的频率特性，可对诸如电源线消除噪音能力和抑制电压波动能力进行判断，可以说是设 计回路时不可或缺的重要参数。此处对频率特性中的阻抗大小|Z|和ESR 进行说明。 1.电容器的频率特性 　如假设角频率为ω，电容器的静电容量为C，则理想状态下电容器(图1)的阻抗Z 可用公式 　(1)表示。 图1.理想电容器 　由公式(1)可看出，阻抗大小|Z|如图2 所示，与频率呈反比趋势減少。由于理想电容器中无损耗，故等 价串联电阻(ESR)为零。 图2.理想电容器的频率特性 　但实际电容器(图3) 中除有容量成分Ｃ外，还有因电介质或电极损耗产生的电阻（ESR）及电极或导线 产生的寄生电感(ESL)。因此，|Z|的频率特性如图4 所示呈V 字型（部分电容器可能会变为U 字型）曲线， ESR 也显示出与损耗值相应的频率特性。 图3.实际电容器 图4.实际电容器的 |Z|/ESR 频率特性(例) 　|Z|和ESR 变为图4 曲线的原因如下。 　低频率范围：低频率范围的|Z|与理想电容器相同，都与频率呈反比趋势减少。ESR 值也显示出与电介 质分极延迟产生的介质损耗相应的特性。 　共振点附近：频率升高，则|Z|将受寄生电感或电极的比电阻等产生的ESR 影响，偏离理想电容器（红 色虚线），显示最小值。|Z|为最小值时的频率称为自振频率，此时|Z|=ESR。若大于自振频率，则元件特 性由电容器转变为电感，|Z|转而增加。低于自振频率的范围称作容性领域，反之则称作感性领域。 　ESR 除了受介电损耗的影响，还受电极自身抵抗行程的损耗影响。 　高频范围：共振点以上的高频率范围中的|Z|的特性由寄生电感(L)决定。高频范围的|Z|可由公式(2)近似 得出，与频率成正比趋势增加。 　ESR 逐渐表现出电极趋肤效应及接近效应的影响。 　以上为实际电容器的频率特性。重要的是，频率越高，就越不能忽视 寄生成分ESR 或ESL 的影响。随着电容器在高频领域的应用越来越多，ESR 和ESL 与静电容量值一样， 成为表示电容器性能的重要参数。 2.各种电容器的频率特性 　以上就电容器寄生成分ESR、ESL 对频率特性的巨大影响进行了说明。电容器种类不同，则寄生成分 也会有所不同。接下来对不同种类电容器频率特性的区别进行说明。 　图5 表示静电容量10uF 各种电容器的|Z|及ESR 的频率特性。除薄膜电容器以外，全是SMD 型电容 器。 图5.各种电容器的|Z|/ESR 频率特性 　图5 所示电容器的静电容量值均为10uF，因此频率不足1kHz 的容量范围|Z|均为同等值。但1kHz 以 上时，铝电解电容器或钽电解电容器的|Z|比多层陶瓷电容器或薄膜电容器大，这是因为铝电解电容器或钽 电解电容器的电解质材料的比电阻升高，导致ESR 增大。薄膜电容器或多层陶瓷电容器的电极中使用了 金属材料，因此ESR 很低。 　多层陶瓷电容器和引脚型薄膜电容器在共振点附近的特性基本相同，但多层陶瓷电容器的自振频率高， 感应范围的|Z|则较低。这是由于引脚型薄膜电容器中只有引脚线部分的电感增大了。 　由以上结果可以得出，SMD 型的多层陶瓷电容器在较宽的频率范围内阻抗都很低，也最适于高频用途。 3.多层陶瓷电容器的频率特性 　多层陶瓷电容器可按原材料及形状分为很多种类。下面就这些因素对频率特性的影响进行说明。 　(1)关于ESR 　处于容性领域的ESR 由电介质材料产生的介质损耗决定。Class2(种类2) 中的高介质率材料因使用强电 介质，故有ESR 增大的倾向。Class １(种类1)的温度补偿材料因使用一般电介质，因此介质损耗非常小， ESR 数值也很小。 　共振点附近到感性领域的高频领域中的ESR 除受电极材料的比电阻率、电极形状（厚度、长度、宽度） 、叠层数影响外，还受趋肤效应或接近效应的影响。电极材料多使用Ni，但低损耗型电容器中，有时也 会