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电流镜负载的差分放大器设计
摘 要
在对单极放大器与差动放大器的电路中,电流源起一个大电阻的作用,但
不消耗过多的电压余度。而且,工作在饱和区的 MOS 器件可以当作一个电流
源。
在模拟电路中,电流源的设计是基于对基准电流的 “复制”,前提是已经存
在一个精确的电流源可以利用。但是,这一方法可能引起一个无休止的循环。
一个相对比较复杂的电路被用来产生一个稳定的基准电流,这个基准电流再被
复制,从而得到系统中很多电流源。而电流镜的作用就是精确地复制电流而不
受工艺和温度的影响。在典型的电流镜中差动对的尾电流源通过一个 NMOS 镜
像来偏置,负载电流源通过一个 PMOS 镜像来偏置。电流镜中的所有晶体管通
常都采用相同的栅长,以减小由于边缘扩散所产生的误差。而且,短沟器件的
阈值电压对沟道长度有一定的依赖性。因此,电流值之比只能通过调节晶体管
的宽度来实现。而本题就是利用这一原理来实现的。
一、设计目标(题目)3
二、相关背景知识4
1、单个MOSTFET 的主要参数包括: 4
三、设计过程5
1、电路结构5
2 、主要电路参数的手工推导6
3、参数验证(手工推导)7
四、电路仿真7
1、NMOS 特性仿真及参数推导 7
2 、PMOS 特性仿真及参数推导10
3、最小共模输入电压仿真13
4 、电流镜负载的差分放大器特性仿真及参数推导15
五、性能指标对比18
六、心得18
一、设计目标(题目)
电流镜负载的差分放大器
设计一款差分放大器,要求满足性能指标:
负载电容CL 1p F
VDD 5V
对管的 m 取 4 的倍数
低频开环增益100
GBW(增益带宽积)30MHz
输入共模范围3V
功耗、面积尽量小
参考电路图如下图所示
设计步骤:
1、仿真单个 MOS 的特性,得到某W/L 下的 MOS 管的小信号输出电阻和跨导。
2 、根据上述仿真得到的器件特性,推导上述电路中的器件参数。
3、手工推导上述尺寸下的差分级放大器的直流工作点、小信号增益、带宽、输
入共模范围。
4 、如果增益和带宽不符合题目要求,则修改器件参数,并重复上述计算过程。
5、一旦计算结果达到题目要求, Hspice 仿真验证上述指标。
如果仿真得到的增益和带宽不符合要求,则返回步骤 2 ,直至符合要求
二、相关背景知识
传统运算放大器的输入级一般都采用电流镜负载的差分对。如下图所示。
1、单个MOSTFET 的主要参数包括:
1.直流参数:
开启电压Vt,即当Vds为某一固定值使Id等于一微小电流时,栅源间的电压。
2.交流小信号参数:
PMOS、NMOS的栅跨导 g m : g m 越大,说明器件的放大能力越强,可以
通过设计宽长比大的图形结构来提高跨导。
小信号电阻 r0 : r0 说明了Vds对Id的影响,是输出特性在某一点上切线
斜率的倒数。
3.相关公式:
电流公式:
1 W 2
I C ( ) V V 1VDS
D n OX GS TH
2 L
MOS 管等效电阻公式:
1 1
ro2 rds 2 ro4 rds 4 (饱和区)
2ID 2 4ID 4
Gds=λnID
电压增益:
Avd 2 gm (rds 2 || rds 4)
增益带宽积:
gm
GB W
2CL
三、设计过程
1、电路结构
整体电路如上图。
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