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而一定浓度的有机物,在一定的电极表面上吸附引起的能量变化?G差不多是一个定值。但电容器能量的变化W与表面电荷 σ有关,如(4-77)式σ增大,W增大 。 所以在?z 附近,因为表面电荷σ较小,W增加不多,不足以抵消体系自由能的下降(即自由能下降占优势)所以发生吸附,σ越少,吸附量越大,γ下降越多。 当σ增加到一定值时,σ对W的影响越来越大,(因为 σ是平方)当|σ|达到一定值的时候,W | ?G |,就会发生有机分子的脱附,水分子又会取代有机分子使εr↑,d↓,W↓。使体系达到稳定状态。 所以在远离?z 时,使 γ—φ 曲线与没有吸附的曲线重合。 课件 (2)有机分子的吸附对Cd-φ 的影响: ① 从图中可以看出,在 ?z 附近有吸附时Cd明显下降,且活 性越大,Cd下降越多。这是因为在 ?z 附近,有机分子吸 附使,εr 小,半径大,电容减少。 课件 ② 有机物吸附后,为什么会出现Cd的峰值呢? 假设电极表面被有机物覆盖的部分分数为 θA,1- θA 为未被有机物覆盖的部分的分数。 σ1为已被吸附部分电极表面的剩余电荷, C为该部分电容。 σ2为未被吸附部分电极表面的剩余电荷,C为该部分电容。 设有机分子吸附后?z不变,则有 (4-79) (4-78) 课件 a,在?=?z时,Cd为恒定值。 b,离开φz时,在吸附、脱附电位附近,电容Cd都增加。 左边:?a0,水分子取代有机分子,电位越正,吸附量越 小, ,所以 右边: ?a0,水分子仍取代有机分子,电位越负,吸附量 越小, , 所以 因此,无论? a0,还是 ? a0, 总是大于0;另外吸附以后电容总是减少的。C-C’0,从4-79可以看出:| ? a|↑时,Cd总是增大的。 课件 C、在吸脱附边界,电位的微小变化引起吸附量的急剧 变化, 可达很大的值,所以,在吸附脱边界会出现 电容Cd的峰值。 总之,吸附对微分电容曲线的影响非常复杂,左边峰称为吸附峰,右边峰称为脱附峰。 显然,这时的峰电容值并不能完全代表界面电容 的真实数值(假电容),但可根据峰的电位,粗略估 计吸脱附电位,从而判断有机物吸附的电位范围。 课件 3、阳离子吸附 对阳离子的吸附的研究比较少。一般阳离子在电极表面发生特性吸附能力弱,因为阳离子水化能力强,不易脱离水化壳,但个别的多价阳离子La3+,Th4+,一价的Tl+在汞阴极上也能发生吸附。表面活性阳离子影响电毛细管曲线的右分支,使γ↓, φz正移,其原因与阴离子的影响相类似,因为右分支表面带负电荷,会吸附正离子使γ下降。 -φ γ 课件 (三)吸附对双电层结构及电位分布的影响 下面以阴离子吸附为例,来说明发生特性吸附,对双电层结构及电荷分布的影响: 曲线①为无特性吸附?-?曲线; 曲线②为有阴离子特性吸附的?-?曲线。 以下分几种情况来讨论:四个点c、z、b、z’ 的电位分别为?c、?z、?b、?z’。 课件 1、电位为?c时 ?a=?c 曲线①该电位下的双电层结构 紧密层电位?c-?1与分散层电位?1方向相同。 曲线①无特性吸附,电位处于左分支,电极表面带正电,溶液层带负电荷,双电层由紧密层与分散层组成,紧密层电位(总电位?c )与分散层电位符号相同。 ?c=(?c-?1)+?1 课件 曲线②该电位处的双电层结构 紧密层电位?c-?1与分散层电位?1方向相反。 曲线②电位仍然是?c ,电位处于左分支,电极表面带正电, 但有阴离子吸附,静电吸附与特性吸附共同存在,溶液层中的剩余电荷会大于电极表面上的剩余电荷,出现超载吸附与三电层结构。 但紧密层(或总电位?c )与分散层电位方向相反。 课件 2、电位为z点电位时,?a=? z 曲线①该点双电层结构 ?a=?z=0 曲线① 因为电位为零电荷电位 ?z,又无特性吸附,电极表面无剩余电荷,电位与溶液电位相等。 曲线②该点处的双电层结构 曲线②电位处于左分支,电极表面带正电,有阴离子特 性吸附,会出现超载吸附与三电层结构,方向相反。 课件 3、电位为b点电位时,?a=? b 曲线①在该电位下的双电层结构 曲线①无特性吸附,电位处于右分支,电极表面带负电荷,溶液层带正电荷,双电层由紧密层与分散层组成。 紧密层(或总电位 ? b )与分散层电位符号相同。 课件 曲线②在该电位下的双电层结构
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