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习题8 8.1判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。 （1）与分立元件比较，集成电路的主要优势是低成本和优良的性能。（ ） （2）集成放大器采用直接耦合的主要原因是集成电路技术很难制造大容量的耦合电容。 （3）直接耦合的主要缺点是零点漂移。 （ ） （4）晶体管的参数受温度的影响，但不影响零点漂移。 （ ） （5）零点漂移受电源电压变化、器件参数老化和温度变化的影响。（ ） （6）在集成电路中元件的对称性差。 （ ） （1）集成放大器主要有由输入级、中间放大级、输出级和偏置电路组成。 （ ） 答：（1）√ （2）√ （3）√ （4）× （5）√ （6）× （7）√ 8.2选择合适答案填入空内。 （1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 A．可获得很大的放大倍数 B. 可使温漂小 C．集成工艺难于制造大容量电容 （2）通用型集成运放适用于放大 。 A．高频信号 B. 低频信号 C. 任何频率信号 （3）集成运放制造工艺使得同类半导体管的 。 A. 指标参数准确 B. 参数不受温度影响 C．参数一致性好 （4）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 。 A．减小温漂 B. 增大放大倍数 C. 提高输入电阻 （5）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用 。 A．共射放大电路 B. 共集放大电路 C．共基放大电路 答：（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A 8.3 电路如题图8.3所示，已知β1=β2=β3=100。各管的VBE均为0.7V，试求IC2的值。 题图8.3 解：分析估算如下： μA 8.4 多路电流源电路题图8.4所示，已知所有晶体管的特性均相同，VBE均为0.7V，β0=β1=β2=β3=100。试求IC1、IC2各为多少。 题图8.4 解：因为T1、T2、T3的特性均相同，且VBE均相同，所以它们的基极、集电极电流均相等，设集电极电流为IC。先求出R中电流，再求解IC1、IC2。 8.5 题图8.5所示为多集电极晶体管构成的多路电流源。已知集电极C0与C1所接集电区的面积相同，C2所接集电区的面积是C0的两倍，ICO/IB= 4，e-b间电压约为0.7V。试求解IC1、IC2各为多少 题图8.5 解：多集电极晶体管集电极电流正比于集电区的面积。 先求出R中电流，再求解IC1、IC2。 8.6 在题图8.6电路中，已知所有晶体管的特性相同，VBE=0.6V。试求： （1）β=5时，IREF=？IC4=？IREF与IC4的差值是多少？写出求IC1的表达式。 （2）β=50时，IREF=？IC4=？IREF与IC4的差值是多少？ +V +VCC R1 T1 T3 +12V -12V -VEE T2 T4 R 3kΩ 30kΩ IC4 IC1 题图8.6 IREF 解：（1）β=5时， （2）β=50时， 8.7 题图8.7电路，已知所有晶体管的特性相同，VBE=0.6V，β2。试求： （1）IREF=？IC2=？IC3=？ （2）若使IC3=2mA，Re3的阻值为多少？ R+V R +VCC=10V 100kΩ T1 R IREF 题图8.7 T0 T2 T3 Re1 Re2 Re3 IC2 IC3 50kΩ 150kΩ 100kΩ 解：（1） （2）若使IC3=2mA，Re3的阻值为 8.8 题图8.8是镜像电流源对共射极电路进行直流偏置，已知T1、T2晶体管的特性相同，β=100，VBE=0.6V。要使IO=2mA，问R应为多少？ I IO T3 +10V vo vi IREF T2 T1 R RC 题图8.8 解： 8.9在题图8.9电路中，TI、T2的β=100，VBE=0.7V，rbb′=200Ω， RC1=RC2=10kΩ，VCC=-VEE=10V，I0=1mA，ro=100kΩ。试求： （1）电路的静态工作点IC1、VC1、VCE1； （2）RL开路时的Avd