电子科技大学微电子器件实验报告MICRO1分析.docVIP

电 子 科 技 大 学 实 验 报 告 （实验）课程名称 微电子器件 实验一： 双极晶体管直流特征的测量 学生姓名： 学 号： 201203****** 指导教师：刘继芝 实验地点： 211 楼 605 实验时间： 2015、6、 / 7 一、实验室名称： 微电子器件实验室 二、实验项目名称：双极晶体管直流特征的测量 三、实验学时： 3 四、实验原理： 1．XJ4810 半导体管特性图示仪的基本原理方框图 XJ4810 图示仪的基本原理方框图如图 1-3 所示。其各部分的作用如下。 1）基极阶梯信号发生器提供必须的基极注入电流。 2）集电极扫描电压发生器提供从零开始、可变的集电极电源电压。 3）同步脉冲发生器用来使基极阶梯信号和集电极扫描电压保持同步，以便正确而稳定地显示特性曲线 （当集电极扫描电压直接由市电全波整流取得时，同步脉冲发生器可由 50Hz 市电代替）。 4）测试转换开关是用于测试不同接法和不同类型晶体管的特性曲线和参数的转换开关。 5）放大和显示电路用于显示被测管的特性曲线。 6）电源（图中未画出）为各部分电路提供电源电压。 2．读测方法（以 3DG6 npn 管为例） （ 1）输入特性曲线和输入电阻 Ri 在共射晶体管电路中，输出交流短路时，输入电压和输入电流之比为 Ri，即 Ri VBE I B VCE 常数 它是共射晶体管输入特性曲线斜率的倒数。例如需测 3DG6 在 V CE = 10V 时某一工作点 Q 的 Ri 值，晶体管接 法如图 1- 4 所示。各旋钮位置为： 峰值电压范围 0~10V 极性（集电极扫描） 正（ +） 极性（阶梯） 正（ +） 功耗限制电阻 0.1~1k Ω （适当选择） x 轴作用 电压 0 .1V/ 度 y 轴作用 阶梯作用 重复 阶梯选择 0.1mA/ 级 测试时，在未插入样管时先将 x 轴集电极电压置于 1V/ 度，调峰值电压为 10V ，然后插入样管，将 x 轴作用扳 到电压 0.1V/ 度，即得 V CE=10V 时的输入特性曲线。这样可测得图 1-5； VBE 0.02 200 . Ri 0.1 10 3 I B VCE 10V / 7 图 1-4 晶体管接法 图 1-5 晶体管的输入特性曲线 （ 2）输出特性曲线、转移特性曲线和 β 、hFE 、 在共射电路中， 输出交流短路时， 输出电流和输入电流增量之比为共射晶体管交流电流放大系数 β 。在共 射电路中，输出端短路时，输出电流和输入电流之比为共射晶体管直流电流放大系数 hFE。晶体管接法如图 1- 4 所示。旋钮位置如下： 峰值电压范围 0~50V 极性（集电极扫描） 正（ +） 极性（阶梯） 正（ +） 功耗限制电阻 0.1~1k x 轴 集电极电压 2V/度 y 轴 集电极电流 2mA/ 度 阶梯选择 0.02mA/ 级 阶梯作用 重复 调节峰值电压得到图 1-6 所示共射晶体管输出特性曲线。并可读得 I C 10mA I C 10 100 hFE I B 0.1 VCE 10V I C 10mA I C 2.2 110 I B VCE 10V 0.02 β ＞ hFE 主要是因为基区表面复合等原因导致小电流 β 较小造成的。 β 、hFE 也可用共射晶体管的转移特性 图 1-7 进行测量。只要将上述的 x 轴作用开关拨至 ，即得到共射晶体管的转移特性。这种曲线可直接观察 β 的线性好坏。 图 1-6 共射晶体管输出特性的读测 图 1-7 共射晶体管的转移特性 此外，在共射晶体管输出特性曲线中，当 IB 为某一值时可读测出共射小讯号输出电导 g，它是 IB 为某值 时输出曲线的斜率，即 I c g VCE I B 常数 当接地选择打到“基极接地” ，阶梯极性改为负（—） ，阶梯选择改为 2mA/ 级（这时注入电流以为 IE ）， 图示仪上则显示出共基晶体管输出特性，并可读测出 值： I C I E VCB 常数 / 7 （ 3）饱和压降 V CES 和正向压降 V BES V CES 和 V BES 是功率管的重要参数， 对开关管尤其重要。 VCES 是共射晶体管饱和态时 C— E 间的压降。 V BES 是共射晶体管饱和态时 B — E 间的压降。一般硅管的 V BES =0.7~0.8V ，锗管的 VBES =0.3~0.4V 。 V CES 的大小与 衬底材料和测试条件有一定的关系。 V BES 与芯片表面的铝硅接触情况有关，铝硅合金不好，或光刻引线孔时 残留有薄氧化层都会导致 V BES 过大。 测试时，晶体管接法仍如图 1-4 所示。当测试条件为 I C=10mA 、 IB=1mA 时，图示仪的旋钮位置如下： 峰值电压范围 0~50