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§7.3 反偏
pn结的偏置状态;§7.3 反偏;反偏pn结的空间电荷区宽度;空间电荷区的电场增强，电场强度和电荷的关系仍然如泊松方程所描述。; 加反偏电压后，pn结空间电荷区宽度、电荷量及电场的变化。;势垒电容的定义：;则可以得到：;单边突变结电容：;势垒电容和反偏电压有关系：;非均匀掺杂pn结
线性缓变的PN结 实际的PN结制造过程（外延、扩散或离子注入工艺）往往形成的是一个近似线性缓变的PN结。N型掺杂浓度与P型掺杂浓度相等之处，即为PN结界面的位置，也就是冶金结的位置。;线性缓变pn结的特性;电势分布可以进一步求得：;如果采用和突变结类似的内建电势差公式，则有：;可求得：;从上式可以看出，线性缓变pn结的反偏势垒电容与
成正比，也即：与线性掺杂pn结相比，均匀掺杂的pn结势垒电容的大小对反偏电压更为敏感。;超突变掺杂pn结的杂质浓度分布示意图; 由上式可见，当m为负值时，超突变掺杂pn结的耗尽区电容随外加反向偏压得变化十分明显，这正是变容二极管所要求的。当变容二极管与某个电感相并联时，其谐振频率为：;小结
均匀掺杂同质pn结
空间电荷区（极性）、耗尽区、势垒区
内建电场（方向）、内建电势差
pn结热平衡态（零偏），内建电势差大小
耗尽区假设、空间电荷区宽度
反偏pn结，势垒电容
非均匀掺杂，线性缓变结
超突变结、变容二极管的概念;本章作业题;谢 谢
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