电化学阻抗谱分析[宣讲].pptVIP

（2）低频区 讨论： （1）高频区 6.6.4 Bode图 2 图 6.6 电化学极化和浓度极化同时存在的电极的EIS 6.6.4 Bode图 2 图 6.6 电化学极化和浓度极化同时存在的电极的EIS 浓度极化对相角图的影响 6.6 电化学极化和浓度极化同时存在的电极的EIS 3 时间常数 令 根据 即 。由 和 可求得 。 6.6.4 Bode图 6.6 电化学极化和浓度极化同时存在的电极的EIS 6.6.5 Randles图 当高频区半圆发生畸变从而使按Nyquist图求变得不大可靠时，可以尝试这种独特的作图法。 Randles图可以从另一侧面确定Warburg阻抗的存在。 6.6 电化学极化和浓度极化同时存在的电极的EIS 6.6.5 Randles图 阻抗扩散的直线可能偏离45°，原因： 电极表面很粗糙，以致扩散过程部分相当于球面扩散； 除了电极电势外，还有另外一个状态变量，这个变量在测量的过程中引起感抗。 补充内容 作Nyquist图的注意事项 （1） （2） （3） EIS谱图实例 锌铝涂层在海水浸泡过程中的EIS EIS谱图实例 EIS谱图实例 不恰当的图例 6.7 阻抗谱中的半圆旋转现象 在实际电化学体系的阻抗测定中，人们常常观察到阻抗图上压扁的半圆（depressed semi-circle），即在Nyquist图上的高频半圆的圆心落在了x轴的下方，因而变成了圆的一段弧。 该现象又被称为半圆旋转。 6.7 阻抗谱中的半圆旋转现象 一般认为，出现这种半圆向下压扁的现象，亦即通常说的阻抗半圆旋转现象的原因与电极/电解液界面性质的不均匀性有关。 固体电极的双电层电容的频响特性与“纯电容”并不一致，而有或大或小的偏离，这种现象，一般称为“弥散效应”。 双电层中电场不均匀，这种不均匀可能是电极表面太粗糙引起的。 界面电容的介质损耗。 6.7 阻抗谱中的半圆旋转现象 6.7 阻抗谱中的半圆旋转现象 双电层电容Cd、Rp与一个与频率成反比的电阻并联的等效电路 实部 虚部 6.7 阻抗谱中的半圆旋转现象 这是一个以 为圆心， 实部 虚部 为半径的圆。 以 6.7 阻抗谱中的半圆旋转现象 利用阻抗复平面图求 和 根据圆心下移的倾斜角 和圆弧顶点的特征频率可以求得 、 6.7 阻抗谱中的半圆旋转现象 常相位角元件（Constant Phase Element, CPE）具有电容性质，它的等效元件用Q表示，Q与频率无关，因而称为常相位角元件。 常相位角元件 通常n在0.5和1之间。对于理想电极（表面平滑、均匀），Q等于双层电容，n=1。n=1时， 6.7 阻抗谱中的半圆旋转现象 上面介绍的公式中的b与n实质上都是经验常数，缺乏确切的物理意义，但可以把它们理解为在拟合真实体系的阻抗谱时对电容所做的修正。 6.8.1 阻抗实验注意点 （1）参比电极的影响 6.8 阻抗实验注意点和阻抗谱分析思路 1.实验准备 双参比电极结构示意图 6.8.1 阻抗实验注意点 （2）要尽量减少测量连接线的长度，减小杂散电容、电感的影响。 6.8 阻抗实验注意点和阻抗谱分析思路 1.实验准备 互相靠近和平行放置的导线会产生电容。 长的导线特别是当它绕圈时就成为了电感元件。 测定阻抗时要把仪器和导线屏蔽起来。 6.8.1 阻抗实验注意点 6.8 阻抗实验注意点和阻抗谱分析思路 2.频率范围要足够宽 一般使用的频率范围是105-10-4Hz。 阻抗测量中特别重视低频段的扫描。反应中间产物的吸脱附和成膜过程，只有在低频时才能在阻抗谱上表现出来。 测量频率很低时，实验时间会很长，电极表面状态的变化会很大，所以扫描频率的低值还要结合实际情况而定。 6.8.1 阻抗实验注意点 6.8 阻抗实验注意点和阻抗谱分析思路 3.阻抗谱必须指定电极电势 电极所处的电势不同，测得的阻抗谱必然不同。阻抗谱与电势必须一一对应。 为了研究不同极化条件下的电化学阻抗谱，可以先测定极化曲线，在电化学反应控制区（Tafel区）、混合控制区和扩散控制区各选取若干确定的电势值，然后在响应电势下测定阻抗。 6.8.1 阻抗实验注意点 6.8 阻抗实验注意点和阻抗谱分析思路 阻抗谱测试中的主要参数设置 Initial Freq / High Freq Final Freq / Low Freq Points/decade Cycles DC Voltage / Initial E AC Voltage / Amplitude 6.8 阻抗实验注意点和阻抗谱分析思路 6.8.2 阻抗谱的分析思路 1.现象分析 6.8 阻抗实验注意点和阻抗谱分析思路 2.图解分析 6.8.2 阻抗谱的分析思路 6.8 阻抗