演示版三极管(课件).pptVIP

二、晶体三极管的电流放大作用 IB/mA -0.001 0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 IC/mA 0.001 0.01 0.56 1.14 1.74 2.33 2.91 IE/mA 0 0.01 0.57 1.16 1.77 2.37 2.96 动画 三极管的电流放大作用 由表得出 视频1 视频2 课件 结论： 1．三极管的电流放大作用——基极电流 微小的变化，引起集电极电流 较大变化。 2．交流电流放大系数 ——表示三极管放大交流电流的能力 (2.1.3) 3．直流电流放大系数 ——表示三极管放大直流电流的能力 (2.1.4) 4．通常 ， ，所以可表示为 (2.1.5) 考虑ICEO，则 (2.1.6) 课件 2.1.4 三极管的输入和输出特性 集射极之间的电压VCE一定时，发射结电压VBE与基极电流IB之间的关系曲线。 一、共发射极输入特性曲线 动画 三极管的输入特性 视频1 视频2 课件 5．VBE与IB成非线性关系。 由图可见： 1．当V CE ≥2 V时，特性曲线基本重合。 2．当VBE很小时，IB等于零， 三极管处于截止状态； 3．当VBE大于门槛电压（硅管 约0.5V，锗管约0.2V）时， IB逐渐增大，三极管开始导 通。 4．三极管导通后，VBE基本不 　 变。硅管约为0.7V，锗管 　 约为0.3V，称为三极管的导 　 通电压。 图2.1.9 共发射极输入特性曲线 课件 二、晶体三极管的输出特性曲线 基极电流IB一定时，集、射极之间的电压VCE与集电极电流IC的关系曲线。 动画 三极管的输出特性 视频1 视频2 课件 在放大状态，当IB一定时，IC不随VCE变化，即放大状态的三极管具有恒流特性。 输出特性曲线可分为三个工作区: 1. 截止区 条件：发射结反偏或两端电压为零。 特点： 。 2 .饱和区 条件：发射结和集电结均为正偏。 特点： 。 称为饱和管压降，小功率硅管约0.3V，锗管约为0.1V。 3 .放大区 条件：发射结正偏，集电结反偏 特点： IC受IB控制 ，即 。 课件 晶体三极管具有放大作用 如果在基极中加一个较小的电信号时，集电极就得到一个放大了的电信号 RP R + - 输入 输出 V 放大电路 R RP V μA mA Ⅰb Ⅰc Ⅰe E 3V 晶体三极管的电流放大原理图 在基极中如果有一个很小的电流变化，可在集电极得到一个很大的电流变化，这就是晶体三极管的电流放大作用 课件 RP R + - 输入 输出 V RP R + - 输入 V1 V2 发光 RP R + - 输入 V1 V2 熄灭 OFF状态 ON状态 放大状态 晶体三极管开关特性 晶体三极管的工作状态 晶体三极管的工作状态 ｛ 放大状态 开关状态 ｛ 截止状态 饱和导通状态 晶体三极管的作用 ｛ 放大作用 开关作用 问题：怎样改变电路，使晶体三极管处于饱和导通状态使二极管发光，熄灭 通过控制三极管的基极电流 课件 三极管的参数是表征管子的性能和适用范围的参考数据。 2.1.5 三极管主要参数 电流放大系数一般在10~100之间。太小，放大能力弱，太大易使管子性能不稳定。一般取30~80为宜。 2.交流放大系数 1.直流放大系数 一、共发射极电流放大系数 课件 1.集电极— —基极反向饱和电流ICBO。 反向饱和电流随温度增加而增加，是管子工作状态不稳定的主要因素。因此，常把它作为判断管子性能的重要依据。硅管反向饱和电流远