低维锑硫族化合物及异质结的原位合成与光电特性研究.pdfVIP

博士学位论文 摘 要 随着科学技术的发展和人民生活水平日益的提高，小型化、低功耗与易于携 带的产品成为人们不断追求的目标。低维的纳米材料正好提供了制造具有这些特 点产品的基础条件。因此，高性能低维纳米材料的可控制备、性质及应用的研究 是实现这一目标的根本途径。V-VI 族二元化合物硒化锑 (Sb Se ) 是带隙为 2 3 1.1~1.3 eV 的p 型半导体材料，且属于范德瓦耳斯晶体，同时对可见光表现出高的 吸收系数(105 cm- 1) ，以上这些性质使得一维 Sb Se 纳米线具有优异的光电性能。 2 3 2004 年，二维纳米材料石墨烯首次被剥离出来，且表现出优异的电学、光学、热 学以及柔性等性质。但是石墨烯本身不具有带隙，因此限制了它在光电领域的应 用。这一缺点推动新的二维材料不断地被剥离或者直接生长出来，最典型的是合 成出了过渡金属硫族化合物 (TMDs) ，如层状结构的二硫化钼 (MoS ) 、二硫化物 2 (WS ) 。因为WS 的带隙位于1.3~2.1 eV ( 随层数的变化而变化) 之间，所以它是 2 2 一种带隙适中的半导体材料。更重要的是，单层 WS2 是直接带隙半导体，这些性 质使得 WS 具有良好的光电性能。氧化锑 (Sb O ) 是带隙为3.3 eV ，结构类似于 2 2 3 有机分子晶体的宽带隙 n 型半导体材料，直到目前，都很少有关于二维 Sb O 的 2 3 研究。另外，碲化锑 (Sb Te ) 是窄带隙的拓扑绝缘体，由于具有小的带隙 (~0.3 2 3 eV) ，对光的吸收范围很宽，因此在光电器件方面具有潜在的应用前景。然而，单 一的纳米材料很难实现多功能性器件的要求，并且对单一材料性能的提高也是很 重要的一个研究方向。 基于一维 Sb Se 纳米材料的优异光电性质与p 型导电特性、二维WS 的n 型 2 3 2 电学输出行为、Sb O 宽的带隙及Sb Te 的窄带隙特点，可构建混合维度的pn 异 2 3 2 3 质结和不同能带排列的异质结，进而实现材料的多功能性或增强材料的光电性能。 本论文采用改进的气相沉积法在无催化剂的条件下制备出了高质量的 Sb Se 单晶 2 3 纳米线；采用两步直接气相外延法生长出了混合维度的一维/ 二维 Sb Se /WS pn 2 3 2 异质结；采用两步的气相外延法合成出高质量的 Sb O /WS