电学半导体器件基础测试题.docxVIP

B、发射结正偏、集电结正偏;D、发射结反偏、集电结反偏;B、发射结正偏、集电结正偏;D、发射结反偏、集电结反偏;B、发射结正偏、集电结正偏;D、发射结反偏、集电结反偏;6、理想二极管组成的电路如下图所示，其AB B、发射结正偏、集电结正偏; D、发射结反偏、集电结反偏; B、发射结正偏、集电结正偏; D、发射结反偏、集电结反偏; B、发射结正偏、集电结正偏; D、发射结反偏、集电结反偏; 6、理想二极管组成的电路如下图所示，其 AB两端的电压是 A、一 12V ; C、+6V ; B、一 6V ; D、 +12V 。 7、要使普通二极管导通，下列说法正确的是 A、运用它的反向特性； C、硅管使用反向区域，而锗管使用正向区域; 锗管使用在反向击穿区； D、都使用正向区域。 8、对于用万用表测量二极管时，下列做法正确的是 A、 用万用表的 B、 用万用表的 C、 用万用表的 D、 用万用表的 R X 100 R X 10K R X 100 RX 10 , 或R X 1000的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转; 的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转； 或R X 1000的欧姆，红棒接正极，黑棒接负极，指针偏转; 黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转； 第一章 半导体器件基础测试题（高三） 姓名 班次 分数 一、选择题 1、N型半导体是在本征半导体中加入下列 物质而形成的。 A、电子； B、空穴； C、三价元素； D、五价元素。 2、在掺杂后的半导体中，其导电能力的大小的说法正确的是 。 A、掺杂的工艺； B、杂质的浓度： C、温度； D、晶体的缺陷。 3、晶体三极管用于放大的条件，下列说法正确的是 A、发射结正偏、集电结反偏； C、发射结反偏、集电结正偏； 4、晶体三极管的截止条件，下列说法正确的是 A、发射结正偏、集电结反偏； C、发射结反偏、集电结正偏； 5、晶体三极管的饱和条件，下列说法正确的是 A、发射结正偏、集电结反偏； C、发射结反偏、集电结正偏； 9、电路如下图所示，则 A、B两点的电压正确的是 A、Ua=3.5V , Ub=3.5V , D 截止； A A、D1、D2 导通; B、D 1、D2 截止; B、 Ua=3.5V , Ub=1.0V , D 截止； C、 Ua=1.0V , Ub=3.5V , D 导通； D、 Ua=1.0V , Ub=1.0V , D 截止。 10、稳压二极管在电路中的接法，正确的说法是 。 A、 稳压管是正向并接在电路中，即稳压管正极接电路中电源的正极，负极接电源的负 极； B、 稳压管是反向并接在电路中，即稳压管正极接电路中电源的负极，负极接电源的正 极； C、 稳压管是正向串接在电路中，即稳压管正极串接电路中电源的高电位，负极接电源 的 低电位。 D、 稳压管是反向串接在电路中，即稳压管正极串接电路中电源的低电位，负极接电源 的 高电位。 11、电路如下图所示，当电路输入端的电压发生变化时，会引起输出电压的变化，贝U 下列四种变化中正确的是 。 A、 Ui — Uo — |W — |R— Ur — Uo J； B、 U i U o |w I r U r U o J； C、 UlfT Uo Jt |W Jt |RfT URfT Uo J； D、 U 1 fT Uo Jt |W Jt |R Jt U r Jt U 0 J。 12、对于三极管放大作用来说，下列说法中最确切的是 A、三极管具有电压放大作用； B、三极管具有功率放大作用； C、三极管具有电流放大作用； D、三极管具有能量放大作用。 13、对于二极管来说，下列说法中错误的是 。 A、二极管具有单向导电性； B、二极管同样具有放大作用; C、二极管具有箝位功能； D、二极管具有开关等功能。 Ube之间的关系; Uce Ube之间的关系; Uce之间的关系; lc之间的关系； le之间的关系； A、 三极管的输入特性是指三极管的基极电流与 B、 三极管的输入特性是指三极管的基极电流与 C、 三极管的输入特性是指三极管的基极电流与 D、 三极管的输入特性是指三极管的基极电流与 15、 下图中两只二极管的导通状态是 C C、D1导通、D2截止; D、Di截止、D2导通。 16、下图中二极管为理想二极管，则输出电压是 A、Uao=15V ； B、Uao=12V ； C、Uao= -15V ； D、Uao= -12V。 17、下图中二极管为理想二极管，则输出电压是 A、Uao=15V ； B、Uao=12V ； C、Uao= -12V ； D、Uao= 0V。 18、下图中二极管为理想二极管，则输出电压是 A、U ao =6V ； B、Uao= - 6V ； C、Uao= -12V ； D、Uao=12