各种工艺参数小结.docx

65nm工艺小结 工作温度：-40Cto125C 表（1） CSMC180nm 工艺 n ame Lmin ^Wmin tox Cox VthO U0 1 K 3.3VNMOS mn 33 0.35u 0.22u 6.57 nm 5.26fF/um2 0.70V 0.0336206 V2 179uA/ 3.3PNMOS mp33 0.3u 0.22u 6.57 nm 5.26fF/um2 -0.65V 0.00925 V2 49uA/ 表（2） SMIC130nm 工艺 n ame Lmin ^Wmin tox Cox Vth0 U0 1 K 3.3VNMOS mn 33 0.35u 0.15u 7nm 4.93fF/um2 0.596V 0.0371827 183uA/V2 3.3VPMOS mp33 0.30u 0.15u 6.9 nm 5fF/um2 -0.66V 0.0109 55uA/V2 表（3） SMIC65nm 工艺 n ame L 」min Wmin tox Cox Vth0 U0 1 K 2.5VNMOS n2511 0.28u 0.3u 5.62 nm 6.14fF/um2 0.584V 0.033037 203uA/V2 2.5VPMOS P251 1 0.28u 0.3u 5.78 nm 2 5.97fF/um -0.601V 0.011013 2 66u