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- 约 104页
- 2020-11-22 发布于江苏
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目 录
摘 要 i
Abstract iii
第一章 绪论 1
1.1 缺陷化学与半导体器件 1
1.2 阻变存储器件中的缺陷化学 1
1.2.1 电子输运阻变模型 4
1.2.2 离子输运阻变模型 5
1.2.3 阻变存储器件建模与仿真 9
1.3 本文主要研究内容 13
第二章 晶体中缺陷性质的计算方法 17
2.1 晶体中的缺陷 18
2.1.1 平衡态与缺陷 18
2.1.2 质量反应方程与离子扩散 21
2.1.3 缺陷扩散输运的方式 22
2.1.4 扩散常数的微观解释 24
2.1.5 缺陷类型及其表示法 25
2.1.6 缺陷化学研究方法 27
2.2 密度泛函理论框架 28
2.2.1 从波函数到电子密
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