溅射镀膜原理及其应用.pdfVIP

磁控溅射镀膜及其应用 溅射原理 溅射原理 1. 先让惰性气体（通常为Ar气）产生辉光放电 现象产生带电的离子； 2. 带电离子经电场加速后撞击靶材表面，使靶 材原子被轰击而飞出来，同时产生二次电 子，再撞击气体原子从而形成更多的带电离 子； 3. 靶材原子携带着足夠的动能到达被镀物(基 材)的表面进行沉积。 溅射原理 溅射原理示意图 溅射沉积示意图 溅射原理 溅射示意图 直流辉光放电的电压电流密度关系图 溅射原理 巴邢曲线 击穿电压UB ：形成“异常辉 光放电” 的关键是击穿电压UB 。 UB主要取决于二次电子的平 均自由程和阴阳极之间的距 离。为了引起最初的“雪崩”， 每个二次电子必须产生出约 10～20个离子。若气压太低 或者极间距离太小，二次电 子撞到阳极之前，无法达到 所需的电离碰撞次数。若气 压太高或极间距离太大，气 体中形成离子将因非弹性碰 撞而减速，以至于当轰击阴 巴邢曲线 极时，已无足够的能量产生 二次电子。 溅射原理 辉光电位分布示意图 溅射原理 磁控溅射原理 原理: 为了提高离化率,增加溅射沉积的速率,在靶背面增加磁场 是个有效的方法 电场与磁场的交互作用,使得二次电子在靶面 做螺旋式运动,大大延长了二次电子的运动行程，从而大大增加 了它同气体分子碰撞的机会，从而大大地提高了离化率，增加了 溅射速率。 二次电子在正交电磁场的运动 二次电子在靶面的运动示意图 磁控溅射原理 磁控溅射具有以下两大优点：提高等离子密度，从而提高 溅射速度；减少轰击零件的电子数目，因而降低了基材因电子轰 击的温升。因此，该技术在薄膜技术中占有主导地位。 磁控溅射阴极的最大缺点是：使用平面靶材是，靶材在跑 道区形成溅射沟道，这沟道一旦贯穿靶材，则整块靶材即报废， 因而靶材的利用率只有20-30% 。不过，目前为了避免这个缺点， 很多靶材采用圆柱靶材形式，靶材利用率得以大幅度提高。 矩形平面靶安装结构示意图 磁控溅射原理 平衡磁场磁控溅射 非平衡磁场磁控溅射 磁控溅射原理 孪生靶磁场分布示意图 磁控溅射原理 封闭非平衡磁场示意图 溅射靶材 溅射靶材按形状分类：矩形平面靶才、圆形平面靶才、圆柱靶材； 溅射靶材按成分分类：单质金属靶材、合金靶材、陶瓷靶材； 溅射靶材 溅射靶材 溅射靶材 平面靶材利用率比较低，只有30%左右，沿着环形跑道刻蚀。 靶材冷却与靶背板 靶功率密度与靶材冷却 靶功率越大，溅射速率越大； 靶允许的功率与靶材的性质及冷却有关； 靶材采用直接水冷，允许的靶功率高。 靶背板 使用场合： ITO 、SiO2、陶瓷等脆性靶材及烧结靶材 Sn、In等软金属靶； 靶材太薄、靶材太贵。 材质要求： 导热性好—常用无氧铜，无氧铜的导热性比紫铜好； 强度足够—太薄，容易变形，不易真空密封。 结构：空心或者实心结构—磁钢不泡或泡在冷水中； 厚度适当—太厚，消耗部分磁强；太薄，容易变形。