《模拟电子技术》第2章3场效应管放大器和单管放大总结.pptVIP

《模拟电子技术》第2章3场效应管放大器与单管放大总结;场效应管的分类（P49）;场效应三极管型号命名方法(两种);场效应管的参数;一、场效应管（以结型N沟道为例）;栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用;漏-源电压对漏极电流的影响;夹断电压;g-s电压控制d-s的等效电阻;2. 绝缘栅型场效应管;增强型MOS管uDS对iD的影响;耗尽型 MOS管;MOS管的特性;利用Multisim测试场效应管的输出特性;场效应管放大电路;3. 场效应管的分类工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性;二、场效应管静态工作点的设置方法;g-s电压控制d-s的等效电阻;g-s电压控制d-s的等效电阻 即饱和区;MOS管的特性;MOS管的特性;2. 自给偏压电路;3. 分压式偏置电路;CMOS放大器授课结束;单管放大器总结;性能指标;1. 放大倍数：输出量与输入量之比;2. 输入电阻和输出电阻;2.电压放大倍数和输入、输出电阻;简化的h参数等效电路－交流等效模型;3. 通频带：;4. 最大不失真输出电压Uom：交流有效值。;复习一;复习一;复习一;复习一 等效电路法;2. 晶体管的h参数等效模型（交流等效模型）;在低频、小信号作用下的关系式;h参数的物理意义;简化的h参数等效电路－交流等效模型;3. 放大电路的动态分析;动态分析：阻容耦合共射放大电路的放大倍数、输入、输出阻抗;讨论一;2.