热载流子效应[宣讲].pptVIP

MOS 器件中的热载流子 3 衬底热电子(SHE) NMOS 器件中，当 VDS ＝VBS, VGS ? ? VT 时，在衬底与源、 漏、沟道之间有反向电流流 过。衬底中的电子被耗 尽区 的电场拉出并加速向沟道运 动，当电场足够高时，这些 电子就有了足够的能量可以 到达Si-SiO2 界面，并注入到 SiO2中。 * 精品PPT | 借鉴参考 MOS 器件中的热载流子4 二次产生热电子( SGHE) 由于碰撞电离在漏 极附近发射的光子, 与热空穴发生二次 碰撞电离, 从而出现 新的电子和空穴, 相 应的衬底电流和漏 极电流。 * 精品PPT | 借鉴参考 进入二氧化硅的热载流子 1 能量较低的热载流子它们只在氧化层中扩散和漂移, 其中 部分被氧化层中的陷 阱所俘获. 当氧化层中的陷阱密度为 NTT, 俘获截面为 ? , 陷阱电子平均距离为 X, 俘获形成的栅电 流为Ig, 可得到其有效陷阱电荷密度为 nT: nT = NTT[ 1- exp(-?(1/q)Ig(t)Dt)] X 陷阱电荷密度与氧化层中的陷阱密度成正比: 有效电荷密度随时间以指数方式增加, 最后趋于饱和 。 * 精品PPT | 借鉴参考 进入二氧化硅的热载流子2 能量足够高的热载流子 它们可以在二氧化硅中产生新的界面态； 界面态的形成： Si-H 被打断后, 形成氢间隙原子 Hi 和硅的悬挂键 Si*( 即界面陷阱) 。 新产生的陷阱密度 Nit，在开始时Nit与时间t 成 正比: 在Nit 大时, 它与时间 t 0.5 成正比。 Nit = C[t(Id/W)exp(-?it/g?Em)]n =Atn , 一 般 n 在 0.5 -- 0.7 之 间. * 精品PPT | 借鉴参考 HC效应对MOSFET电性能的影响 热载 子使陷阱电荷密度随时间而增加,导致开启 电压和的一系列参数发生漂移. 开启电压? VT(t)= A tn 当热电子引起的衬底电流 很大时, 可使源与衬底之间 处于正向偏置状态, 引起正 向注入, 导致闩锁效应 * 精品PPT | 借鉴参考 衬底电流模型 Isub＝C1Id exp(-Bi/Em) Isub＝a Id (Vds-Vdsat)b (Ai/Bi) 其中a, b为常数.Ai,Bi为碰撞离化系数， a=2.24?10-8－0.10?10-5 Vdsat b = 6.4 衬底电流的另一种表示形式为： Isub = 1.2(VDS-Vdsat)ID exp(-1.7?106/?ymax) =1.2(VDS-VDSsat)IDexp(-3.7?106tox1/3rj1/3/(VDS-Vdsatt) * 精品PPT | 借鉴参考 衬底电流模型 * 精品PPT | 借鉴参考 栅电流模型 NMOS 器件中, 当栅 氧化层较薄时 (小于150A), 栅电流主要由沟道热电子注入所引起的。 * 精品PPT | 借鉴参考 影响热电子效应的参数 1. 沟道长度 L MOS FET的有效沟道长度l和沟道中的最大场强?max。 ?max ＝(VDS-VDSsat)/l l ＝0.22tox1/3 rj1/3 tox ? 15nm l ＝1.7?10－2tox1/8 rj1/3L1/5 tox ? 15nm, L? 0.5?m, 式中rj 源、漏的结深，tox 栅氧化层厚度，L是沟道长度。 得到 ?max = (VDS-VDSsat)/ 0.22tox1/3 rj1/3 tox? 15nm ?max = (VDS-VDSsat)/(1.7?10－2tox1/8 rj1/3L1/5) tox ? 15nm, L? 0.5?m * 精品PPT | 借鉴参考 影响热电子效应的参数 * 精品PPT | 借鉴参考 改进热电子效应的工艺措施 减少氧化层界面的硅－氢键 由于热电子所产生的陷阱与氧化层中已有的 硅－氢键的数量有关, 因而要减少栅氧化产生 的硅－氢键的数量 改变栅绝缘层的成份, 提高电子进入绝缘层的功函数, 如采用氧化层表面氮化, Si-SiO2界面较难出现陷阱. 减少等离子损伤是改进热载流子效应的必要措施 * 精品PPT | 借鉴参考 NMOS结构的改进 在NMOSFET 中, 热载流子对器件的损伤, 主要发生在 靠近漏极的沟道区上方的氧化层中。热载流子的数量直接受控于沟道中最大场强。 为改进器件热载流子效应的可靠性，降低沟道中的最大场强.，在器件结构上,提出了多种结构： 磷扩散漏区