薄膜沉积原理分析电子教案.pptVIP

薄膜沉积原理分析;本节课主要内容;氮化硅的淀积方法;等离子增强化学气相淀积（PECVD）;等离子体： 物质存在的第四态 高密度导电粒子构成的气体 极板区域有辉光;PECVD：在等离子体反应器中，PECVD最重要的特征是能在更低的温度下淀积出所需要的薄膜。;7;8;物理气相淀积 （PVD） 蒸发（Evaporation） 溅射（Sputtering）;真空蒸发：在真空中，把蒸发料(金属)加热，使其原子或分子获得足够的能量，克服表面的束缚而蒸发到真空中成为蒸气，蒸气分子或原子飞行途中遇到基片，就淀积在基片上，形成薄膜 ;一、真空蒸发淀积薄膜的物理过程 蒸发过程：被蒸发物质从凝聚相（固相或液相）转化为气相的过程——所需能量为汽化热?Hv 在真空系统中的输运过程 (c) 气相分子在衬底上吸附、成核和生长;不同元素的平衡蒸气 压与温度的函数关系 为了得到合适的淀积 速率，样品蒸气压至少 为10 mTorr。 Ta，W，Mo和Pt，这些难 熔金属，它们具有很高 的溶化温度，如为达到 10 mtorr 的蒸气压， 钨 需要超过3000 ℃。;二、真空度与分子平均自由程 ?;三、蒸发速率和淀积速率 单位时间内，通过单位面积的分子数;点源;按 归一化后，有 如下图;可见蒸发的淀积