半导体照明课件 8 第6章 半导体照明光源的发展和特征参量.pptVIP

第六章 半导体照明光源的发展和特性参量 在1999年照明界提出了开发21世纪新光源的宏伟目标，主要目标是： 1、研究高效、节能、新颖光源。 2、研究照明工业新概念、新材料，防止使用有害 于环境的材料。 3、设计模拟自然光的理想白色光源，显色指数接 近100。 实现这一目标的意义： 1、减少全球照明用电量的50%，全球节电每年达 1000亿美元，相应的照明灯具1000亿美元。 2、免去超过125GW的发电容量，节省开支500亿 美元。 3、减少二氧化碳、二氧化硫等污染废气3.5万亿吨。 一、发光二极管 发光二极管的发展主要是材料及材料生长技术的发展,自1962年第一支GaAsP红色发光二极管问世,发光二极管的发展分为三个阶段: 第一阶段:以氯化物外延VPE手段为主的GaAsP材料系发光二极管,但是外延产物中HCl有腐蚀性和毒性;GaAsP材料系与GaP衬底之间有较大的失配,材料质量受到很大的影响; 第二阶段:以液相外延(LPE)手段为主的GaP和AlGaAs材料系发光二极管的发展;液相外延的材料质量较好,但是外延层的形貌、厚度和组分的均匀性难以控制，因此在生长陡峭界面、大面积多层薄层结构时受到了限制。 第三阶段：以有机金属气相外延手段为主的AlGaInP和AlGaInN材料系。 1、1965年，全球第一款商用