半导体照明课件 6 第4章 半导体的激发与发光.pptVIP

半导体量子阱和超晶格 单量子阱：两种禁带宽度不同的材料A和B构成的背靠背异质结B/A/B。B的禁带宽度大于A。在材料A的厚度小于电子的平均自由程时，电子被约束在材料A中，构成量子阱。 B：势垒层，A：势阱层 多量子阱：将禁带宽度不同的两种薄层材料周期性的 交叠在一起。势垒层的厚度可使势阱中的电子不能 穿透势垒层进入另一个势阱。 载流子的德布罗意波长： 半导体超晶格：量子阱势垒层的厚度较薄，相邻的势阱 中的电子波函数之间能够互相重叠。 周期厚度（L）= 阱层厚度（Lw）+垒层厚度（LB） 量子阱周期数 2、量子阱和超晶格分类： （1）晶格匹配量子阱与超晶格，应变量子阱与超晶格：按材料 的晶格匹配程度来分 晶格失配度：（αA-αB）/αB 晶格匹配：两种材料失配度小于0.5% 晶格失配：失配度大于0.5% 应变量子阱与超晶格：通过薄层双方或一方的晶格常数的有限改变来补偿晶格失配的应力。一般应变层的厚度十分有限。 临界厚度：应变量子阱与超晶格的厚度超过一定值时，在界面处产生失配位错，晶体质量变差。 （2）固定组分量子阱与超晶格、组分渐变量子阱与超晶格，以及调制