传感器课件 9、磁电式传感器-1.pptVIP

* 材料中电子在电场作用下运动速度的大小常用载流子迁移率来表征，即在单位电场强度作用下，载流子的平均速度值。即 所以 而 比较得出电阻率?与霍尔系数RH和载流子迁移率?之间的关系： 或 * 结论：① 如果是P型半导体，其载流子是空穴，若空穴浓度为p，同理可得 ② 霍尔电压UH与材料的性质有关。 由上式可知?、?大，霍尔系数就大。金属?虽然很大，但?很小，不宜做成霍尔元件；绝缘材料的? 很高，但?很小，也不能做霍尔元件。故霍尔传感器中的霍尔元件都是半导体材料制成的。 * ④ 霍尔电压UH与控制电流及磁场强度有关。 ③ 霍尔电压UH与元件的尺寸有关。 根据上式，d愈小，KH愈大，霍尔灵敏度愈高，所以霍尔元件的厚度都比较薄，薄膜霍尔元件的厚度只有1?m左右。但d过小，会使元件的输入、输出电阻增加。 * 二、霍尔元件材料 电阻率、载流子迁移率、霍尔系数 1．锗(Ge)，N型及P型均可。 2．硅(Si)．N型及P型均可。 3．砷化铟(InAs)和锑化铟(InSb)，这两种材料的特性很相似。 * 5.2.2 霍尔元件的构造及测量电路 基于霍尔效应工作的半导体器件称为霍尔元件，霍尔元件多采用N型半导体材料。霍尔元件越薄(d 越小)，kH 就越大。霍尔元件由霍尔片、四根引线和壳体组成，如图所示。 * 一、构 造 * 霍尔片是一块