金属氧化物半导体场效应晶体管器件结构演示幻灯片.pptVIP

第三章 金属－氧化物－半导体场效应晶体管 M etal O xide S emiconductor F iled E ffect T ransistor MOSFET 电子科学与技术系 张瑞智 本章内容 § 1 、 MOSFET 的物理结构、工作原理和类型 § 2 、 MOSFET 的阈值电压 § 3 、 MOSFET 的直流特性 § 4 、 MOSFET 的动态特性 § 5 、小尺寸效应 1 、 MOSFET 的物理结构 MOSFET 由一个 MOS 电容和靠近 MOS 栅控 区域的两个 PN 结组成。 Body Source Gate Drain w 2 SiO ? n ? n NMOSFET 的三维结构图 栅 氧化层 硅衬底 源区－沟道区－漏区 P-Si gate n + n + Source Drain L 2 SiO body 金属 Al （ Al 栅） 重掺杂的多晶硅（硅栅， Polycide （多晶硅 / 难融金属硅化物） si poly p or si poly n ? ? ? ? MOSFET 的三维结构简化图 剖面图 结构参数： 沟道长度 L 、 沟道宽度 W 、 栅氧化层厚度 源漏 PN 结结深 材料参数： 衬底掺杂浓度 、 载流子迁移率 版图 S D G W L 多晶硅 有源区 金属 SiO 2 SiO 2 G S D B ox t L j x Si 衬底 ox t B N j x ? 器件版图和结构参数 ? MOSFET 是一个四端器件 ： – 栅 G （ Gate ），电压 V G – 源 S （ Source ），电压 V S – 漏 D （ Drain ），电压 V D – 衬底 B （ Body ），电压 V B ? 以源端为电压参考点 ，端电压定义为 : – 漏源电压 V DS =V D - V S – 栅源电压 V GS =V G - V S – 体源电压 V BS =V B - V S 端电压的定义 ? MOSFET 正常工作时， D 、 B 和 S 端所加的电压要 保证两个 PN 结处于反偏 。 ? 在直流工作下的器件，通常假设器件只有漏－源 电流 * 或简称 漏电流 I DS ，并将流向漏极方向的电 流定义为正。 ? MOSFET 各端电压对漏电流都有影响，电流－电 压的一般关系为： ? ? BS DS GS DS V V V f I ， ， ? 端电流的定义 SiO 2 P-Si 衬底 S B G D GS V DS V ? n ? n x y z o 坐标系的定义 不作特别声明时，一般假设源和体短接（接地） 基本假定 ? 长沟和宽沟 MOSFET ： WLToxXc ? 衬底均匀掺杂 ? 氧化层中的各种电荷用薄层电荷等效，并假定 其位于 Si-SiO2 界面 ? 强反型近似成立 基本假定（ 1 ） 强反型近似 – 强反型时： 耗尽层宽度 反型层厚度 * ，耗尽 层两端电压 反型层两端的电压，耗尽层电荷 反型层电荷 – 强反型后， 栅压再增加，将导致沟道载流子数 目增加，但表面耗尽层宽度不变，耗尽层电荷 不变，耗尽层两端电压不变 。 * 通常我们假设反型层无限薄，载流子在硅表面形成面电荷层，并且在反型层中 没有能带弯曲。 基本假定（ 2 ） ? 在栅压为零时，从源电极和漏电极被两个背靠背 的 PN 结隔离，这时即使在源漏之间加上电压，也 没有明显的漏源电流（忽略 PN 结的反向漏电流） V GS =0 n+ n+ V DS 0 p-substrate S B I DS =0 直流特性的定性描述： 工作原理 ? 当在栅上加有足够大的电压时， MOS 结构的沟道 区就会形成反型层， 它可以把源区和漏区连通， 形成导电沟道 ，这时如果在漏源间加有一定的偏 压，就会有明显的电流流过。 直流特性的定性描述： 工作原理 V GS V T Acceptors Depl Reg n+ n+ V DS 0 p-substrate Channel S B I DS 假设栅电压 V GS V T ，漏电压 V DS 开始以较小的步长增加 I DS V DS V DS （ Small ） V GS V T n+ n+ p-substrate Channel S B I DS 当 V DS 很小时，它对反型层影响很小，表面沟道类似于一个简 单电阻，漏电流与 V DS 成正比。 直流特性的定性描述： 输出特性 V GS V T n+ n+ V DS =V DSat p-substrate Channel S B I DS I D V DS V Dsat I Dsat Pinch-off 随着 V DS 的增加，它对栅的反型作用开始起负面影响， 使反型层从源到漏逐渐变窄 ， 反