IPM驱动和保护电路的研究.docxVIP

IPM 驱动和保护电路的研究 摘要介绍了的基本工作特性和常用驱动和保护电路的设计方法，并给 出了一个驱动和保护电路的设计实例。 关键词绝缘栅双极性晶体管智能功率模块功率集成电路 智能功率模块ＩＰＭ是ＩｎｔｅｌｌｉｇｅｎｔＰｏｗｅｒＭｏｄｕｌｅ的缩写，是一种先进的功率开关器件，具有ＧＴＲ大功率晶体管高电流密度、低饱和电压和耐高压的优点，以及ＭＯＳＦＥＴ场效应晶体管 高输入阻抗、高开关频率和低驱动功率的优点。 而且ＩＰＭ内部集成了逻辑、 控制、检测和保护电路， 使用起来方便，不仅减小了系统的体积以及开发时间，也大大增强了系统的可靠性，适应 了当今功率器件的发展方向 ——模块化、复合化和功率集成电路ＰＩＣ，在电力电子领域得到了越来越广泛的应用。 本文以三菱公司ＰＭ１００ＤＳＡ１２０为例，介绍ＩＰＭ的基本特性，然后着重介绍ＩＰＭ的驱动和保护电路的设计。 １ＩＰＭ的基本工作特性 １．１ＩＰＭ的结构 ＩＰＭ由高速、低功率的ＩＧＢＴ芯片和优选的门级驱动及保护电路 构成，如图１所示。 其中，ＩＧＢＴ是ＧＴＲ和ＭＯＳＦＥＴ的复合，由ＭＯＳＦＥＴ驱 动ＧＴＲ，因而ＩＧＢＴ具有两者的优点。 ＩＰＭ根据内部功率电路配置的不同可分为四类Ｈ型内部封装一个ＩＧＢＴ、Ｄ型内部封装两个ＩＧＢＴ、Ｃ型内部封装六个ＩＧＢＴ和Ｒ型内部封装七个ＩＧＢＴ。 小功率的ＩＰＭ使用多层环氧绝缘系统，中大功率的ＩＰＭ使用陶瓷绝缘。 １．２ＩＰＭ内部功能机制 ＩＰＭ的功能框图如图２所示。 ＩＰＭ内置驱动和保护电路，隔离接口电路需用户自己设计。 ＩＰＭ内置的驱动和保护电路使系统硬件电路简单、可靠，缩短了系统开发时间，也提高了故障下的自保护能力。 与普通的ＩＧＢＴ模块相比，ＩＰＭ在系统性能及可靠性方面都有进一步的提高。 保护电路可以实现控制电压欠压保护、过热保护、过流保护和短路保 护。 如果ＩＰＭ模块中有一种保护电路动作，ＩＧＢＴ栅极驱动单元就会 关断门极电流并输出一个故障信号ＦＯ。 各种保护功能具体如下 １控制电压欠压保护ＵＶＩＰＭ使用单一的＋１５Ｖ供电，若供电电 压低于１２．５Ｖ ,且时间超过ｔｏｆｆ＝１０ｍｓ， 发生欠压保护，封锁门极驱动电路，输出故障信号。 ２过温保护ＯＴ在靠近ＩＧＢＴ芯片的绝缘基板上安装了一个温度 传感器，当ＩＰＭ温度传感器测出其基板的温度超过温度值时，发生过温 保护，封锁门极驱动电路，输出故障信号。 ３过流保护ＯＣ若流过ＩＧＢＴ的电流值超过过流动作电流，且时间 超过ｔｏｆｆ，则发生过流保护，封锁门极驱动电路，输出故障信号。 为避免发生过大的，大多数ＩＰＭ采用两级关断模式，过流保护和短路保护操作可参见图３。 其中，ＶＧ为内部门极驱动电压，ＩＳＣ为短路电流值，ＩＯＣ为过流电流值，ＩＣ为集电极电流，ＩＦＯ为故障输出电流。 ４短路保护ＳＣ若负载发生短路或控制系统故障导致短路，流过ＩＧＢＴ的电流值超过短路动作电流，则立刻发生短路保护，封锁门极驱动电路，输出故障信号。 跟过流保护一样，为避免发生过大的，大多数ＩＰＭ采用两级关断模式。 为缩短过流保护的电流检测和故障动作间的响应时间，ＩＰＭ内部使 用实时电流控制电路ＲＴＣ ,使响应时间小于１００ｎｓ， 从而有效抑制了电流和功率峰值，提高了保护效果。 当ＩＰＭ发生ＵＶ、ＯＣ、ＯＴ、ＳＣ中任一故障时，其故障输出信号持续时间ｔＦＯ为１．８ｍｓＳＣ持续时间会长一些，此时间内ＩＰＭ 会封锁门极驱动，关断ＩＰＭ；故障输出信号持续时间结束后，ＩＰＭ内部自动复位，门极驱动通道开放。 可以看出，器件自身产生的故障信号是非保持性的，如果ｔＦＯ结束 后故障源仍旧没有排除，ＩＰＭ就会重复自动保护的过程，反复动作。 过流、短路、过热保护动作都是非常恶劣的运行状况，应避免其反复 动作，因此仅靠ＩＰＭ内部保护电路还不能完全实现器件的自我保护。 要使系统真正安全、可靠运行，需要辅助的外围保护电路。 ２ ＩＰＭ驱动电路的设计 驱动电路是ＩＰＭ主电路和控制电路之间的接口，良好的驱动电路设 计对装置的运行效率、可靠性和安全性都有重要意义。 ２．１ＩＧＢＴ的分立驱动电路的设计 ＩＧＢＴ的驱动设计问题亦即ＭＯＳＦＥＴ的驱动设计问题 ,设计时应注意以下几点 ① ＩＧＢＴ栅极耐压一般在 ±２０Ｖ左右，因此驱动电路输出端要给栅极加电压保护，通常的做法是在栅极并联稳压二极管或者电阻。 前者的缺陷是将增加等效输入电容Ｃｉｎ，从而影响开关速度，后者 的缺陷是将减小输入阻抗，增大驱动电流，使用时应根据需要取舍。 图４为ＩＧＢＴ栅极保护原理图，其中，ＲＧ、ＤＺ、Ｃｉｎ分别为 等效栅极阻抗、稳压管和等效输入电容。 ② 尽管ＩＧＢＴ所需驱动功率很小， 但由于ＭＯＳＦＥＴ存在输入电 容Ｃｉｎ，开关过程中需要对电容充放电，因此驱动电路的输出电流应足 够大，这一点设计者往往忽略。 假定