微机保护中ram和eprom的实时故障检测.docx

微机保护中RAM 和EPROM的实时故障检测 O n2line E rro r Check in RAM and EPROM U sed in D igita l P ro tection 北京电力高等专科学校(北京100044 ) 和敬涵 摘 要：通过分析RAM 和EPROM中可能出现的 故障，针对性地讨论了几种对 RAM、E PROM 实行 故障检测的方法，并着重提出了一种省时实用的检 测E PROM的独特方法 周期移位相加法。 关键词:微机保护；RAM ; E PROM ;故障检测；周 期移位相加法 中图分类号：T P311153 文献标识码：A 文章编号:1003 29171 (2000 ) 02 20054 203 1问题的提出 RAM 和E PROM是微机保护中的重要部件。 RAM主要用来存放现场的各种输入 、输出 数据和中间结果，或用它来与外存储器交换信息 和作为堆栈。它的存储单元中的内容应要求做到 正确读出，准确写入，否则，从确定单元读出的内 容失真，可导致计算错误、判断失误，从而引发保 护误动、拒动等一系列不良后果。 微机保护的运行操作是在程序的指挥下进行 的，而程序一旦写入 E PROM后，一般是不会出错 的。但使用时间长也不能保证没问题 。例如当 E PROM的窗口没封好，或用能透过部分光线的材 料加封，长期暴露在日光、荧光灯下及处在各种放射 线的环境中等，均有可能使E PROM中的信息发生 变化,从而使系统不正常，导致保护动作异常。 由于RAM 和E PROM中的出错总是个别单 元零星发生，而出错单元不一定每次都能被执行 到,故必须主动进行检查。因此，为确保微机保护 正常动作，在编制软件时，需采取一定的措施对 RAM 和E PROM实行自检。自检程序既要省时， 又要有效。以下讨论了对 RAM和E PROM检测 的几种方法，尤其是对 EPROM检测的方法省 时、有效，有独到之处。 的观察与分析，常见故障为： 存储器开路或断路，如坏的存储单元、数 据线粘结等。 译码器开路或断路导致存储器不能正确 寻址，如地址线粘结等。 多重写入，即对某一个单元进行一个数 的写入操作时，同时将该数写入了另一些单元 。 单元中的内容在电气上受到临近单元 读、写操作的影响而发生改变。 写后不能恢复，当随后进行读时，得不到 信息。 212 RAM的故障检测 由于RAM 故障的多样性和复杂性，很难用一 种简单的方法对其所有故障进行检测，既要考虑提 高故障诊断率，又要考虑简单实用，因此对RAM 的检测有非破坏性测试和破坏性测试二种 。 非破坏性测试是在程序运行中进行 RAM 测 试,它可检查RAM 的每一个单元，而仍能使它保 持原有的数据。非破坏性测试因为不中断保护功 能，因此应选择较简单的模式，可用下述方格交错 法:先将检查存储单元(如一个字节，8位)的内容 读出，放入一个C PU的寄存器中，然后将55H写 入该单元，测试软件再将此单元内容读出 ，检查它 是否还是55H ,然后再写入 A A H (它是55H的镜 像值),重复上述过程，当这个单元测试完毕后，恢 复它原先的内容，然后测试下一个单元。这种方格 交错法可以测试每个存储单元的每一位的 2种二 进制状态。对存储器断路或开路，如坏的存储单元, 数据线粘结及写后未能恢复，当随后进行读时得不 到信息等均有较好的检测效果。上述自检应设置在 最高优先级的中断服务程序中，或先屏蔽中断再检 测,以避免检测期间发生中断而导致检测错误 。 要想检测其他的 RAM 故障，需用破坏性测 试。破坏性测试会改变存储器的内容，但它与非破 坏性测试结合,会使检查更加完善。具体方法是：开 2 RAM 的检测 211 RAM可能出现的故障 RAM主要是由地址译码器、数据存储单元 和读、写控制逻辑三部分组成。根据对其功能结构 始测试时，将一个RAM的存储单元分成若干块， 每块为256个存储单元，每个存储单元为 8位字 节,对每块中的256个存储单元依次写入 00H? 1 - 4 /C8 1 - 4 / C8X 10 (1- -4 7 10 ) = 8 X 10 4 X (01999 9) FFH ,使每个单元内容不同，且依次增“1”。测试 时,使基准寄存器中的内容依次加 “1”并与第一块 RAM 的256个存储单元 比较，查完256个单 元，且内容均相同，将基准寄存器置零，重复上述过 程，依次检查后面的若干块。若是16K RAM 需分 为63块。如果有故障出现则显示存储单元的地址 和内容。这种方法对检查每块内发生的第 （2 ）、 （3）、（ 4）（见第211）种故障效果较好，如每块中有 一根地址线粘接导致不能正确寻址等。但对块与块 之间出现上述错误无法查出，因此，进行完每块的 检测后，再将基准寄存器和全部指定的