《模拟电子技术》第1章33场效应管fv0403溪周一12节.ppt

《模拟电子技术》第1章33场效应管fv0403周一12节;场效应管利用电场效应控制电流大小。 用栅极电位控制电流大小（类似电子管） 只有一种载流子（多数载流子）导电，故称单极性器件 而晶体三极管有两种载流子（多数载流子和少数载流子）导电 优点：（1）体积小、重量轻、耗电少、寿命长； （2）输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、制造工艺简单； 分类：（1）结型场效应管（JFET） （2）金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET） ;1、结构;栅源反偏：N沟道JFET工作时，在栅极与源极???间加一负电压（栅负源正）：VGS0，使栅极（P）和沟道（N）之间的PN结反偏，栅极电流为零，场效应管呈现大的输入电阻。 在漏极和源极之间加一正电压（漏正源负）:VDS0，使N沟道中的多数载流子(电子)在电场的作用下由源极向漏极运动，形成漏极电流iD 。 漏极电流iD受与漏源电压VDS影响，被栅源电压VGS控制。;结束;（1）d、s间短路，在g、s间加反向电压时的情况 ;（2）d、S间加正向电压的情况： ;;（3）g、s间加负电压，d、S间加正电压的情况： ;（1）JFET栅极和沟道间的PN结是反偏的，因此其 ，输入电阻很高； （2）JFET是电压控制电流器件， 受 控制。 （3）预夹断前， 与 呈近似线性关系；预夹断后 趋于饱和。 ;3、JFET的特性曲线;②转移特性;分类;1、结构;2、工作原理;;3、特性曲线;N沟道耗尽型：; 如果在制造MOS管时，在SiO2绝缘层中掺人大量正离子，那么即使υGS=0，在正离子作用下P型衬底表层也存在反型层，即漏—源之间存在导电沟道，只要在漏—源间加正向电压，就会产生漏极电流，并且υGS为正时，反型层变宽，沟道电阻变小，iD增大；反之，υGS为负时，反型层变窄，沟道电阻变大，iD减小。而当υGS从零减小到一定值时，反型层消失，漏—源之间导电沟道消失，iD =0。此时的υGS称为夹断电压。 与N沟道结型场效应管相同，N沟道牦尽型MOS管的夹断电压也为负值。但是，前者只能在υGS 0的情况下工作，而后者的υGS可以在正、负值的一定范围内实现对iD的控制，且仍保持栅—源间有非常大的绝缘电阻。;（1）夹断电压UGS(off) ： 为某一固定值（一般为10V），使 等于一个微小的电流（一般为5μA）时，栅源之间之间所加的电压。 ;（3）饱和漏电流IDSS ：对于耗尽型管子，在 的情况下产生预夹断时的漏极电流。它是该管子所能输出的最大电流。通常令υDS=10V，υGS=0V 时测出的漏极电流为饱和漏电流。;（5）最大栅源电压 ：是指输入PN结反向电流开始急剧增加时的 。 ;（8）输出电阻 ：在饱和区， 随 的变化很小，所以 的值很大。约几十千欧姆至几百千欧姆。 ;1、衬底引出：在MOS管中，有的产品将衬底引出可让使用者视电路的需要任意连接。;BJT的集电极和发射极能否互换？;1、FET是用栅源电压来控制漏极电流，栅极基本不取电流。 BJT是用基极电流来控制集电极电流，工作时基极总要索取一定的电流。 ★要求输入电阻高的电路应选择FET；若信号源可以提供一定的电流，则可选用BJT。;3、FET的噪声系数很小，所以低噪声放大器的输入级和要求信噪比较高的电路应选用FET。当然也可以选用特制的低噪声BJT。;1、晶体管放大电路有三种基本放大电路，分别为共射极、共集电极、共基极放大电路。 场效应管放大电路有三种基本放大电路，分别为共源极、共漏极、共栅极放大电路。;感谢您的关注