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大连理工大学,机械工程学院,机械电子学第二章模拟电子;;N 型半导体;;伏安特性;;2.1.3 光电二极管;2.1.4 发光二极管(LED);2.1.5 双极型晶体管（三极管）——BJT;;;ICE与IBE之比称为（共射）电流放大倍数;输出特性;输出特性三个区域的特点:;2.1.5 单极型晶体管（场效应管）——FET;;;工作原理（以P沟道为例）;;特性曲线（以P沟道为例）;;N沟道结型场效应管的特性曲线;输出特性曲线;2.1.5.2 绝缘栅场效应管:;N 沟道耗尽型;;P 沟道耗尽型;别名：可控硅（SCR)（Silicon Controlled Rectifier）是一种大功率半导体器件，出现于70年代。它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电领域。 ;A（阳极）;符号;A;1.若只加UAK正向电压，控制极不加触发电压，两三极管均不能导通，即晶闸管不通。;3.晶闸管导通后，去掉电压UGK，依靠正反馈， 晶闸管仍维持导通状态；;t; 当系统处在深度调速状态，即在较低速运行时，晶闸管的导通角很小，使得系统的功率因数很低，并产生很大的谐波电流，引起电网电压波形畸变，殃及附近的用电设备。如果采用晶闸管调速的设备在电网中所占的容量比重比较大，就会造成所谓的“电力公害”，在这种情况下，必须增设无功补偿和谐波滤波装置。;＋;;共模抑制比(CMRR);2.3.4