半导体物理基础复习第7章金属与半导体接触.ppt

半导体物理基础复习第7章 金属和半导体的接触;7.1 金属半导体接触及其能级图;金属功函数 (表示一个起始能量等于费米能级的电子，由金属内部逸出到真空中所需的最小能量。) ; 金属功函数随原子序数的递增呈现周期性变化，功函数的大小显示出金属中电子离开金属表面成为自由电子的难以程度，功函数大的金属稳定性也较强。;关于功函数的几点说明:;半导体功函数;7.1.2 接触电势差;金属和半导体间距离D远大于原子间距，电势差主要落在界面间隙中。 ;随着D的减小，电势差同时落在两界面间及半导体表面的空间电荷区内。 ;若D小到可以与原子间距相比较，电势差全部落在半导体表面的空间电荷区内。 ;;;;;;7.1.3 表面态对接触电势的影响;表面态分为施主型和受主型。表面能级在半导体表面禁带中呈现一定分布，表面处存在一个靠近价带顶的EFS0能级。;若n型半导体存在表面态，费米能级高于EFS0 ，表面态为受主型带负电，表面处须出现正的空间电荷区，形成电子势垒。势垒高度恰好使表面态上的负电荷与势垒区正电荷数量相等。 ; 存在表面态时，当与金属接触（仍假设金属功函数大的情况），电子会由半导体流向金属，但电子不是来自半导体体内，而是由受主型表面态供给。若表面态积累的负电荷足够多时，平衡时，半导体表面的正电荷等于表面态上剩余的负电荷与金属表面负电荷之和，半导体表面势垒高度几乎不变。;7.2 金属半导体接触整流理论7.2.1 金属半导体接触整流特性;（1）V=0 半导体接触表面能带向上弯，形成n型阻挡层，阻挡层由电离施主组成，载流子浓度较低。当阻挡层无外加电压作用，从半导体流向金属的电子与从金属流向半导体的电子数量相等，处于动态平衡，因而没有净的电子流流过阻挡层。;（2）V>0 若金属接电源正极，n型半导体接电源负极，则外加电压主要降落在阻挡层上，外电压方向由金属指向半导体，外加电压方向和接触表面势方向(半导体表面空间电荷区内电场)相反，使势垒高度下降，电子顺利的流过降低了的势垒。;内电场方向;（3）V<0 当金属接负极，半导体接正极，外加电压方??和接触表面势方向（空间电荷区的内电场）相同，势垒高度上升，从半导体流向金属的电子数减少，而金属流向半导体的电子数占优势，形成从半导体流到金属的反向电流。 ;内电场方向;7.2.2 金属半导体整流接触电流电压方程;当V>0时，若qV>>k0T，则 当V<0时，若|qV|>>k0T，则 ;⑵热电子发射理论 当n型阻挡层很薄，电子平均自由程远大于势垒宽度。起作用的是势垒高度而不是势垒宽度，电流的计算归结为超越势垒的载流子数目。 ;针对n型半导体，电流密度 ;两种理论结果表示的阻挡层电流与外加电压变化关系基本一致，体现了电导非对称性——正向电压，电流随电压指数增加；反向电压，电流基本不随外加电压而变化;隧道效应的影响 微观粒子要越过一个势垒时，能量超过势垒高 度的微粒子，可以越过势垒，而能量低于势垒高 度的粒子也有一定的概率穿过势垒，其他的则被 反射。这就是所谓微粒子的隧道效应。 ;7.2.3 肖特基势垒二极管;n型阻挡层，体内电子浓度为n0，接触面处的电子浓度是 ;平衡时，空穴的扩散运动和由于内电场产生的漂移运动相等，净电流为零。;平衡时，如果接触面处有 ;加正电压时，势垒两边界处的电子浓度将保持平衡值，而空穴先在阻挡层内界形成积累，然后再依靠扩散运动继续进入半导体内部。;综上，在金属和n型半导体的整流接触上加正向电压时，就有空穴从金属流向半导体，这种现象称为少数载流子的注入。 ;7.3.2 欧姆接触;重掺杂的半导体与金属接触时，则势垒宽度变得很薄，电子通过隧道效应贯穿势垒产生大隧道电流，甚至超过热电子发射电流而成为电流的主要成分，即可形成接近理想的欧姆接触。 常常是在n型或p型半导体上制作一层重掺杂区域后再与金属接触，形成金属-n 或金属-p型结构。 ;接触电阻：零偏压下的微分电阻 把导带底Ec选作电势能的零点，可得 电子势垒 令y=d0-x，则 ;根据量子力学中的结论，x=d0处导带底电子通过隧道效应贯穿势垒的隧道概率为 有外加电压时，势垒宽度为d，表面势为[(Vs)0+V]，则隧道概率 ;隧道电流与隧道概率成正比 进而可得到