半导体概述类氢的模型.ppt

半导体概述类氢模型;§2.5.2 类氢模型;;在各向同性有效质量的情况下,电子围绕正电中心的运动与围绕氢原子核的运动完全相似．库仑势场 ;氢原子基态电子的电离能为;Ge和Si的介电常数分别为16和12;;在半导体中由于正电中心对电子束缚大为减弱，电子将具有较大的轨道半径． 我们也可以类似于氢原子，求出杂质的等效玻尔半径．氢原子的玻尔半径为: ;类似地以;; 每种杂质的势场在离杂质中心很近的地方不尽相同; 杂质原子半径不同而引起的晶格畸变不同; 简单的长程库仑势并不能计入杂质中心带来的全部影响. ;但是： 当电子的轨道半径较大时，中心附近势场的差异对电子运动产生的影响会比较小． Ge的情况正是如此．与之相比，Si中电子轨道半径较小，不同杂质间的差异表现得更为明显． ; (2-5-8); 通常把能够用类氢模型描述的杂质称为类氢杂质． 由前面的分析可知，它们是一些离导带很近的施主和离价带很近的受主杂质，称为浅能级杂质. ;在Ge、Si中还有另一种类型的类氢杂质：Li. Li在Ge、Si中占据晶格间隙位置，称为间隙式杂质． 它的一个价电子无须用来形成共价键。Li向晶体贡献一个电子和一个正电中心，因此行为类似于V族元素． ;§2.5.3 深能级杂质 ;尽管在Ge、Si晶格中有较大空隙，但除了H、He和Li等以外，大多数杂质以代位方式占据晶格的位置． 因此我们仍可从共价键的角度来认识许多杂质在Ge、Si中的作用．;VI族元素Se和Te在Ge中产生两重施主能级 代替Ge原子占据晶格位置的VI族元素杂质除了以四个价电子完成与近邻原子的共价键以外，多余两个电子． 它们环绕带有两个正电荷的中心运动。 ;很粗略地看就象一个氦原子。 正电中心对于每一个电子的束缚比类氢杂质中的更强． 对于每一个电子来说，处于同一壳层上的另一个电子对正电中心的屏蔽是不完全的．因此平均来说每个电子受到大于一个电子电荷的正电中心的作用．; 在第一个电子电离以后，正电中心将表现为两个正电荷，因为另一个电子的部分屏蔽作用不存在了． 因此使第二个电子电离就需要更大的能量． ; 注意：第二个能级(较深的??级)的存在以第一个电子的电离为条件． 在两个电子都未电离以前，任一个电子都将以相应于第一个能级的能量，而不是以相应于第二个能级的能量电离．;类似地， Ⅱ族杂质一般将可以产生两重受主能级． I族元素原则上可以产生三重受主能级． 在Ge中，Cu、Ag、Au产生三重受主能级; Cu在Si中也产生三重受主能级。 但并不是按价键的图象所预言的施主或受主能级都已观察到． ;还有一些杂质在同一半导体中既可起施主作用，又可起受主作用，这种杂质称为两性杂质. 杂质的两性行为可以有不同的起因． ;一种情况是同一杂质在晶格中占据不同的位置． 施主和受主作用分别与所占据的不同晶格位置相对应． 例如Si在GaAs中形成的施主能级和受主能级都是浅能级.施主能级在受主能级之上．;另一种情况是杂质在晶格中只有一种晶格形态，但即可给出电子，也可接受电子，起施主或受主作用． 对这种情形，施主能级和受主能级的相对位置一般是受主能级在施主能级之上。并且都是深能级杂质. ; 因为受主能级被电子占据时带负电；施主能级被电子占据时呈电中性。 因而，从其受主能级上（对应于由中性的中心）向导带给出一个电子，比从吸引库仑中心电离一个电子需要更少的能量。;在Ge、Si中Au是研究得比较多的杂质． 在Si中Au产生一个施主能级和一个受主能级，并且受主能级在施主能级之上． 实验上可以肯定这些能级都由代位式的Au所产生。 ;§2.5.4 化合物中的杂质能级;Si在GaAs中的施主能级和受主能级分别在导带以下0.006 eV和价带以上0.03 eV处； 但掺Si的GaAs一般表现为n型．这是因为掺入的Si大部分占据Ga的位置．;当Si的浓度小于1018／cm3时, 电子浓度大致与Si的浓度相等。 但当Si的浓度更高时，电子浓度低于Si的浓度，且有饱和的倾向。 原因：有相当一部分硅占据了As的位置而起受主作用．; II族杂质和VI族杂质在GaAs中的表现与Ge、Si中的III族元素和V族元素相似； 这是因为II族元素与III族元素相近，倾向于占据Ga的位置，而VI族元素与V族元素相近，倾向于占据As的位置. ; 在II-VI化合物中III族元素和VII族元素可以分别占据II族元素和VI族元素的位置起施主作用. 例如Ga和Cl在许多II-VI化合物中就是如此．在CdTe中，In、Al、Cl产生的施主能级在导带以下0.014eV． ;§ 2.3.5 等电子杂质;但这类杂质有时也能在禁带中产生局域电子态。 它们虽然一般不能提供电子或空穴，但在一定条件下，可以收容一个电