半导体光电子园学第2章_异质结.ppt

半导体光电子学第2章_异质结;p-n结的形成过程 ;当扩散的载流子数等于漂移的载流子数时，达到了动态平衡。这时在分界面附近形成了稳定的正负离子区，即p-n结，也称为空间电荷区(space charge region)，或耗散区(depletion region)。 ;在整个半导体中，在耗散区存在由正离子区指向负离子区的电场，这就使得耗散区出现电势的变化，形成p区和n区之间的电势差V0。n区的电势大于p区的电势。因此，对空穴来说，n区的势能大于p区的势能，形成了一个势垒eV0，这使得空穴只能在p区，不能到达n区。对电子来说，p区的势能大于n区的势能，也形成了一个势垒eV0，使得电子只能在n区，不能到达p区。 整个半导体的能带结构如图所示。这个能带图是以电子能量为参照的。 ;平衡P-N结的能带图; 当两块半导体结合形成P-N结时，按照费米能级的意义(即电子在不同能态上的填充水平)，电子将从费米能级高的N区流向费米能级低的P区，空穴则从P区流向N区。因而EFn不断下移，而EFp不断上移，直至EFn=EFp。;由于整个半导体处于平衡状态，因此在半导体内各处的Fermi能级是一样的。可以看到，这时由于势垒的存在，电子和空穴也没有机会复合;如果一个半导体的两端加一个电压，由于电场的作用，使得能带整体沿着电场方向倾斜。电子和空穴的势能也发生变化，电子势能逆着电场方向降低，而空穴势能顺着电场方向降低。所以电子和空穴向两个相反方向移动。;正向偏压;正向偏压在势垒区中产生了与内建电场方向相反的电场，因而减弱了势垒区中的电场强度，这就表明空间电荷相应减少。故势垒区的宽度也减小，同时势垒高度从qVD下降为q(VD-V)。; 势垒区电场减弱，破坏了载流子的扩散运动和漂移运动之间的平衡，削弱了漂移运动，使扩散电流大于漂移电流。 所以在加正向偏压时，产生了电子从N区向P区以及空穴从P区到N区的净扩散电流。 ;由于pn结阻碍多数载流子的定向移动，因此从电路性质看，它是高阻区。如果在半导体两端有外加电压，那么电压基本上都施加在pn结上。现在在半导体加一个电压V，p区结电源正极，n区接负极，形成正向偏置。外加电压基本上都施加在pn结上，这也等于在pn上施加一个外加电场E。外加电场的方向与内置电场E0的方向相反，总电场E0-E比原来的电场小了。这削弱了电子和空穴的势垒，由原来的eV0变为e(V0-V)。同时空间电荷区宽度变窄，由原来的w0变为w。;这就使得n区的电子比较容易克服势垒而扩散到p区，同时p区的空穴也比较容易克服势垒而扩散到n区。这就使得电子和空穴有机会复合产生光子。 当对半导体施加电压时，半导体处于非平衡状态。原则上讲，Fermi能级已无意义。但是，由于外加电压基本上施加在pn结上，p区和n区所受到的影响相对比较小，可以把它们看成处于局部平衡态，各自具有Fermi能级Efp和Efn。当半导体处于平衡状态时，Efp=Efn=Ef。当对半导体施加电压时，Efp和Efn不相等。可以证明，Efp－Efn=eV。;不论是n型或p型半导体材料，若Fermi能级都处于禁带中。——轻掺杂半导体。 这时在外加电压作用下电子和空穴虽然也能复合产生光子，但是由于载流子浓度有限，形成不了粒子数反转和受激辐射。这种材料只能用于发光二极管。 为了使半导体材料在外界作用下实现粒子数反转，必须对半导体进行重掺杂，使n型的Fermi能级处于导带中，p型的Fermi能级处于价带中。 ;在以上介绍的pn结半导体激光器中，p区和n区是同一种材料，只是掺杂类型不同，因此整个半导体具有相同的禁带宽度。这种半导体激光器存在一个缺点。当半导体激光器正向偏置时，除了在pn结附近电子和空穴复合外，还有一部分电子越过pn结，经过p区扩散到电源正极。同样，还有相等一部分空穴越过pn结，经过n区扩散到电源负极。这部分电子和空穴没有复合产生光子，被浪费掉了。这就降低了半导体激光器的发光效率。 双异质结激光器的两边仍然是相同的材料，只是进行了不同类型的重掺杂，它们的禁带宽度是相同的。但是在它们之间加了一个非常薄的不同半导体材料(～0.2mm)，它的禁带宽度要比两边材料小，一般是非掺杂或轻掺杂的。在这里是p型掺杂。这样在pn+结形成很大的势垒，使n+区的电子不能越过它到达中间的p区和左边的p+区。同时在p区和p+区的分界面附近，由于掺杂浓度的差别，使得p+区的价带顶高于p区的价带顶，即在p+区的空穴势能低于p区空穴的势能。这时空穴集中在p+区。即在p区和p+区的分界面附近也形成一个势垒，但这个势垒的高度比pn+结势垒高度小得多。 ;当半导体激光器正向偏置时，pn+结附近的势垒大大降低，使得电子能够越过势垒进入p区。同时，p区和p+区分界面附近的势垒也有一定