2020中远红外焦平面探测器教材.ppt

IRFPA 的分类 ? 结构： ? 单片式 ? 混合式 ? 光学系统的扫描方式： ? 扫描型 : 采用时间延迟积分技术，采用串行方式读取电信号 ? 凝视型 : 无需延迟积分，速度快，采用并行方式读取电信号。 ? 读出电路 ? 电荷耦合器件（ CCD ） ? 金属氧化物半导体场效应管（ MOSFET ） ? 电荷注入（ CAM ） ? 制冷方式： ? 制冷型 D*~10 11 cmHz 1/2 W -1 ，响应时间 us ? 非制冷型 D*~10 9 cmHz 1/2 W -1 ，响应时间 ms 铟柱将阵列上的每一个红外探测器与多 路传输器一对一地准确地配接起来，从 而使红外探测器阵列能够和单片式结构 相似地将所采集的图像信号通过多路传 输器输送出去，完成全部的功能。 第二代光伏型 HgCdTe 焦平面探测器的两种扫描方式： （ a ）扫描型 和（ b ）凝视型 (a) (b) 几种材料的红外凝视焦平面阵列元数的增长，及 2010 年前的变 化趋势预测。 几种工作在中远红外探测的材料 Material Name Symbol E g (eV) ? c ( ? m) Operating Temp. (K) Mer-Cad-Tel HgCdTe 可调 0.7 – 25 50 - 250 Indium Antimonide InSb 0.189 6.55 80 Arsenic doped Silicon Si:As 0.05 24.8 10 1.E+08 1.E+09 1.E+10 1.E+11 1.E+12 1.E+13 1.E-01 1.E+00 1.E+01 1.E+02 1.E+03 1.E+04 Wavelength (um) D * ( c m H z 1 / 2 W - 1 ) N E P = ( S e n s i t i v e A r e a ) 1 / 2 / D * Radiometers Golay cell Thermopile Uncooled bolometers Si or Ge HEB (hot-electron-bolometer, 4K) Infrared Detector Performance at FOV=180, 300K background InSb HEB (4K) PC BLIP, 300K Ge:Ga(4K), Stressed Ge:Ga(4K) Ge:Zn(4K) Ge:Cu(4K) MCT, LW(77K) InSb(77K) MCT, MW(77K) InGaAs Si Diode InAs(PC, 77K) PbS(PC,193K) Si:As(4K) NbN/NbTiN film HEB (4K) EO crystals Cooled radiometers QWIP(77K) PbS(PC,77K) Microwave TeraHertz Infrared Visible Ultrvoilet Hg 1-x Cd x Te （ MCT ） IRFPA ? 带隙在 0.7-25um 内可调 ? 直接带隙，吸收系数高； ? 热膨胀系数与 Si 膨胀系数 相近，而且极易钝化； ? 用于红外各波段的 MCT 材 料具有接近相同的晶格常 数。 MCT 材料的特性 能隙 ? HgTe 与 CdTe 之间的晶格失配小，约为 0.3% ? CdZnTe 是与 HgCdTe 晶格匹配的优质衬底。 Cd 0.96 Zn 0.04 Te HgCdTe 可以按任何比例混合，构成一种禁带宽度连续变化的材 料，而且工作温度较高，是目前性能最好、使用最广泛也最有 发展潜力的半导体红外光电探测器材料。 HgCdTe 器件结构 通过铟丘互连的背照式混成 HgCdTe 焦平面列阵的结构图 The evolution of three generations of HgCdTe IRFPA HgCdTe Photoconduction(PC) HgCdTe 长波 HgCdTe 光导型探 测器的特性参数： ? 50 - 100Ω/cm 2 ? 10 5 V/W at 1 mA bias for a 50 × 50μm device. ? D* about 80% of background limit. ? Photon noise level of a few nV/Hz. HgCdTe Photovoltaic(PV) ? HgCdTe PV 探测器的台面刻蚀剖面图。 ? 在透明的 CdZnTe 衬底上生长 n-type HgCdTe ，然后再掺杂 p + -layer . ? 表面钝化是为了保护防止表面电荷积累和漏电流． ? 红外光从背面照射进去 Th