单晶硅电池片基本工艺.docVIP

单晶硅电池片工艺（初稿） 工艺步骤图： 硅片检验→硅片插入片盒→去除损伤层→制绒面→淋洗→中和→三级串连阶梯式清洗→烘干→扩散→周围刻蚀→硅片插入片盒→去除氧化层→三级串连阶梯式清洗→烘干→制备氮化硅→后面银铝浆→烘干→后面铝浆→烘干→正面银浆→烧结→测试分选→检验入库 1． 单晶硅片质量检验标准 1．1 外观检验 1．1．1 基片大小：125×125mm±0.5mm 1．1．2 形状：准方片 1．1．3 直径：∮150±1.0mm Φ165±1.0mm 1．1．4 厚度： 280±30μm;在所要求区域内5个测量值平均值。 1．1．5 TTV（μm）total thickness variation 在选定圆片区域内，最大厚度改变值 ≤50μm 1．1．6 表面缺点：≤2个 深度小于0.05mm 1．1．7 破损及针孔：无可见破损和针孔 1．1．8 边缘缺损：长度小于5mm，深度0.5破损≤1个 1．1．9 钜痕：＜5μm 1．1．10 表面情况：表面颜色均匀一致，无残留硅粉，无水迹 1．2 电特征： 1．2．1 晶体：无位错直拉（CZ）单晶 1．2．2 晶向：（100）±3° 1．2．3 导电类型：P型（硼掺杂） 1．2．4 电阻率（Ω·CM） 0.5～2.0 用四探针测量平均晶体电阻 1．2．5 少子寿命：＞15μS 使用微波光电导方法，