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上页 下页 返回 模拟电子技术基础 3.1 结型场效应管 3.1.1 结型场效应管的结构和类型 s g d P + N P + SiO 2 保护层 N 沟道 JFET 结构示意图 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 N P + P + 形成 SiO 2 保护层 以 N 型半导 体作衬底 上下各引出一个电极 左右各引出一个电极 两边个引出一个电极 两边扩散 两个高浓 度的 P 型区 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 漏极 d （ drain) 源极 s （ source) 栅极 g （ gate) N P + P + N 型导电沟 道 符号 称为 N 沟 道 JFET g d s 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 符号 P 沟道 JFET 结构示意图 P N + N + P 型导电沟 道 s g d g d s 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 N 沟道结型场效应管 P 沟道结型场效应管 结型场效应管分 3.1.2 结型场效应管的工作原理 电路图 G D S 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 1 ． u DS =0 时，