芯片生产工艺流程课件 .pptxVIP

芯片生产工艺流程（课件）单晶拉制（1）单晶拉制（2）单晶拉制（3）单晶拉制（4）单晶拉制（5）环境和着装单项工艺-扩散(1)卧式4炉管扩散/氧化炉扩散/氧化进炉实景图单项工艺-扩散(2)立式扩散/氧化炉扩散/氧化进炉实景图单项工艺-扩散(3)扩散工序作业现场单项工艺-光刻(1)先进光刻曝光设备单项工艺-光刻(2)现场用光刻曝光设备单项工艺-光刻(3)检查用显微镜单项工艺-光刻(4)清 洗淀积/生长隔离层（SiO2 Si3N4 金属…）匀 胶-HMDS喷淋（增加Si的粘性）-匀光刻胶单项工艺-光刻(5)前 烘-增加黏附作用-促进有机溶剂挥发对 版-对每个圆片必须按要求对版匀 胶-用弧光灯将光刻版上的图案转 移到光刻胶上。单项工艺-光刻(6)显影/漂洗-将圆片进行显影/漂洗，不需要的的光刻胶溶解到有机溶剂。坚 膜-硬化光刻胶。-增加与硅片的附着性。腐 蚀-干法腐蚀/湿法腐蚀去 胶单项工艺-光刻(7)光刻工艺过程单项工艺-CVD（1）单项工艺-CVD（2）初级离子气体被吸收到硅片表面单项工艺-CVD（3）初级离子气体在硅片表面分解单项工艺-CVD（4）玻 璃 的 解 吸单项工艺-CVD（5）单相工艺-离子注入（1）单相工艺-离子注入（2）单相工艺-离子注入（3）单相工艺-蒸发（1）蒸发原理示意图单相工艺-蒸发（2）溅射原理示意图单相工艺-蒸发（3）单相工艺-清洗基础认知衬底材料外延片外延层单晶片扩散片扩散层一次氧化sio2外延层基区光刻sio2外延层干氧氧化sio2外延层离子注入杂质注入sio2外延层基区扩散sio2基区外延层发射区光刻sio2基区外延层发射区预淀积sio2发射区基区外延层集电区发射区扩散（*）sio2发射区基区外延层集电区发射区低温氧化（*）sio2发射区基区外延层集电区氢气处理sio2发射区基区外延层集电区N+光刻（适用于P型片）sio2发射区基区外延层集电区N+淀积扩散（适用P型片）sio2发射区基区外延层集电区N+低温氧化（适用P型片）sio2发射区基区外延层集电区氢气处理（适用P型片）sio2发射区基区外延层集电区3B光刻sio2发射区基区外延层集电区铝蒸发AL发射区基区外延层集电区四次光刻AL发射区基区外延层集电区氮氢合金AL发射区基区外延层集电区AL上CVDSiO2发射区基区外延层集电区氮气烘焙（适用N型片）SiO2发射区基区外延层集电区五次光刻SiO2发射区基区外延层集电区中测抽测SiO2测试系统发射区基区外延层集电区减薄、抛光SiO2发射区基区外延层集电区减薄和抛光部分蒸金/银SiO2发射区基区外延层集电区背金合金SiO2发射区基区外延层集电区芯片测试SiO2测试系统发射区基区外延层集电区N型片制造（一般）工艺流程N型片投片和编批一次氧化基区光刻干氧氧化基区扩散发射区光刻硼离子注入发射区磷预淀积发射区扩散发射区低温氧化氢气处理四次光刻3次光刻铝蒸发氮氢合金铝上CVD五次光刻氮气烘焙中测抽测减薄/抛光蒸金背面合金芯片测试P型片制造（一般）工艺流程P型投片编批一次氧化基区光刻干氧氧化基区扩散发射区光刻发射区硼预淀积磷离子注入发射区低温氧化发射区扩散N+光刻氢气处理3次光刻N+磷扩散N+孔LTO铝蒸发四次光刻氮氢合金铝上CVD五次光刻中测减薄/抛光蒸金氮氢合金测试9、春去春又回，新桃换旧符。在那桃花盛开的地方，在这醉人芬芳的季节，愿你生活像春天一样阳光，心情像桃花一样美丽，日子像桃子一样甜蜜。10、人的志向通常和他们的能力成正比例。11、夫学须志也，才须学也，非学无以广才，非志无以成学。12、越是无能的人，越喜欢挑剔别人的错儿。13、志不立，天下无可成之事。14、Thank you very much for taking me with you on that splendid outing to London. It was the first time that I had seen the Tower or any of the other famous sights. If Id gone alone, I couldnt have seen nearly as much, because I wouldnt have known my way about.。15、会当凌绝顶，一览众山小。16、如果一个人不知道他要驶向哪头，那么任何风都不是顺风。17、一个人如果不到最高峰，他就没有片刻的安宁，他也就不会感到生命的恬静和光荣。THE END谢谢观看