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mos 管d、s 反接的问题 P 沟道的，本来就是MOS 管本身里有一个体二极管，是D 级到S 级，就按沟道 不打开，电流不经过沟道过去，也可以先过它的体二极管到S 级的。S 级有高电 平后，不就S 大于G 了吗？这时候沟道不就打开了？电流就开始走沟道，而不 走体二极管了 如果D 加正电位当然电流从D 流向S，而S 加正电位对于NMOS 管是不推荐的。 因为MOS 管从结构上来说实际上有4 个电极，G/D/S 和B 衬底Bulk。虽然说NMOS 电流可以从D 流向S 也可以从S 流向D，但是衬底B 应该接最低电位，对于N 管 就是负电位，对于P 管就是正电位。也就是说D/S 互换使用时，B 也要改变连接 的位置。而在多数分立的MOS 管中已经把B 和定义为S 的沟道一端连在一起了， 只引出G/D/S 三个电极，除非有的MOS 管B 极另有用途而单独引出。这样一来如 果D/S 交换，开启电压/跨导/通导电阻等参数都会变坏，所以一般不建议这样使 用。要求双向导电的场合，可以用N 管与P 管并联的电路结构 9 不过有些DC/DC 的防反接保护就是使用N 型MOS 管的S 至D 导通方向来实现的， 那样应怎么解释呢？ 正如你自己所说的这是一个反接保护电路，一反接D 就为正了，保护管就起作用 了。你还忽略了IRL3103 的DS 间还并联了一个保护二极管，当你没有接反时， 正常电流主要通过这个二极管回流到电源负端，而反的DS 电压不会超过二极管 正向压降。当你接反时，二极管不导电，电流全靠MOS 控制，而MOS 的G 端变负 或0 而截止了。不过注意IRL3103 的GS 是可以承受正负电压的。 实际上这里接触到功率MOS 管的另一个问题，就是体二极管。几乎所有的功率 MOS 管的DS 端都并联了一个二极管，这个二极管的方向就决定了DS 不可以交换 使用，接反了二极管通导，G 就没有控制了。这个二极管本来是为了避免分布晶 体管造成栓锁效应而产生的，但客观上起到了保护DS，并使DS 不能反接的作用。 这个二极管在多数小功率MOS 上和集成电路中是没有的，而在功率MOS 的图上经 常也不画出来。所以你的问题可以理解为，用两个相对串联的NMOS 管来传交流 电时，在某一半周是用D 为正S 为负的MOS 管串联了一个正向导电的二极管来实 现导电，而那个D 为负S 为正的MOS 管被与其并联的正向导电二极管旁路了。 1 详细讲解MOSFET 管驱动电路 在使用MOS 管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS 的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的 电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。 包括MOS 管的介绍，特性，驱动以及应用电路。 1，MOS 管种类和结构MOSFET 管是FET 的一种（另一种是JFET），可以被制造成 增强型或耗尽型，P 沟道或N 沟道共4 种类型，但实际应用的只有增强型的N 沟 道MOS 管和增强型的P 沟道MOS 管，所以通常提到NMOS，或者PMOS 指的就是这 两种。 至于为什么不使用耗尽型的MOS 管，不建议刨根问底。 对于这两种增强型MOS 管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制 造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。 MOS 管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺 限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但 没有办法避免，后边再详细介绍。 在MOS 管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。 这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。 顺便说一句，体二极管只在单个的MOS 管中存在，在集成电路芯片内部通常是没 有的。 2，MOS 管导通特性导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。NMOS 的特性，Vgs 大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电 压达到4V 或10V 就可以了。 PMOS 的特性，Vgs 小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC 时的情况（高端 驱动）。但是，虽然PMOS 可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价 格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。 3，MOS 开关管损失不管是NMOS 还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流 就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。 选择导通电阻小的MOS 管会减小导通损耗。现在的小功率MOS 管