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电气工程概论教导资料九 主 题： 第二章 电力电子技术(第1节) 学习时间： 11月26日－12月2日 内 容： 我们这周关键学习电力电子技术第1节中晶闸管驱动、功率场效应管、绝缘栅型双极性晶体管、功率半导体器件保护，经过学习我们要了解掌握晶闸管驱动，掌握功率场效应管结构、工作原理、特征、关键参数、安全工作区，掌握绝缘栅型双极性晶体管结构、工作原理、特征、擎住效应和安全工作区，掌握功率半导体器件过压、过流保护。 第一节 功率半导体器件 2.1.6 晶闸管驱动 1.晶闸管触发电路基础要求： 1）触发脉冲信号应有一定功率和宽度。 2）为使并联晶闸管元件能同时导通,触发电路应能产生强触发脉冲。 3）触发脉冲同时及移相范围。 4）隔离输出方法及抗干扰能力。 2．常见触发电路 图3-12为常见触发电路。它由2个晶体管组成放大步骤、脉冲变压器和隶属电路组成脉冲输出步骤组成。当2个晶体管导通时，脉冲变压器副边向晶闸管门极和阴极之间输出脉冲。脉冲变压器实现了触发电路和主电路之间电气隔离。脉冲变压器原边并接电阻和二极管是为了脉冲变压器释放能量而设。 2.1.7 功率场效应晶体管 功率场效应晶体管是一个单极型电压控制半导体元件，其特点是控制极静态内阻极高、驱动功率小、开关速度快、无二次击穿、安全工作区宽，开关频率可高达500kHZ，尤其适合高频化电力电子装置。但因为电流容量小、耐压低，通常只适用小功率电力电子装置。 1.结构和工作原理 （1）结构 功率场效应晶体管按导电沟道可分为P沟道和N沟道；依据栅源极电压和导电沟道出现关系可分为耗尽型和增强型。功率场效应晶体管通常为N沟道增强型。从结构上看，功率场效应晶体管和小功率MOS管有比较大差异。图3-13给出了含有垂直导电双扩散MOS结构VD-MOSFET单元结构图及电路符号。 （2）工作原理 图3-13 所表示，功率场效应晶体管三个极分别为栅极G、漏极D和源极S。当漏极接正电源，源极接负电源，栅源极间电压为零时，P基区和N区之间PN 结反偏，漏源极之间无电流经过。如在栅源极间加一正电压，则栅极上正电压将其下面P基区中空穴推开，电子被吸引到栅极下P基区表面，当大于开启电压UT 时，栅极下P基区表面电子浓度将超出空穴浓度，从而使P型半导体反型成N型半导体，成为反型层。由反型层组成N沟道使PN结消失，漏极和源极间开始导电。越大，功率场效应晶体管导电能力越强，也就越大。 2.工作特征 （1）静态特征 1）漏极伏安特征。漏极伏安特征也称输出特征，图3-14(a)所表示，能够分为三个区，分别是可调电阻区I（伴随增大，呈线性增加），饱和区II（伴随增大，基础不变，但大则大），击穿区III（伴随增大，快速增大，元件击穿）。 2）转移特征。漏极电流和栅源电压反应了输入电压和输出电流关系，称为转移特征，图3-14(b)所表示。只有，才会有。当较大时，特征呈线性。 （2）开关特征 图3-15为元件极间电容等效电路。器件输入电容在开关过程中需要进行充、放电，影响了开关速度。同时也可看出，静态时虽栅极电流很小，驱动功率小，但动态时因为电容充放电电流有一定强度，故动态驱动仍需一定栅极功率。开关频率越高，栅极驱动功率也越大。 功率场效应晶体管开关过程图3-16所表示，其中UP 为驱动电源信号，为栅极电压，iD 为漏极电流。 3.关键参数和安全工作区 （1）关键参数 1）漏源电压：是指功率场效应晶体管额定电压。 2）电流定额，：其中是指漏极直流电流，是指漏极脉冲电流幅值。 3）栅源电压：指栅源之间电压不能大于，不然元件将被击穿。 （2）安全工作区 功率场效应晶体管正向偏置安全工作区由四条边界包围而成，图3-17所表示。其中I为漏源通态电阻限制线；II为最大漏极电流IDM限制线；III为最大功耗限制线；IV为最大漏源电压限制线。 4.驱动电路 图3-18是一个功率场效应晶体管驱动电路，是含有过载及短路保护功效窄脉冲驱动电路，当输入信号ui由低变高时，VTI导通，脉冲变压器原边绕组上电压为电源电压UC1在R2、R3 上分压值，脉冲变压器很快饱和后，耦合到副边绕组电压是一个正向尖脉冲，该脉冲使VT2、VT3导通，而VT2、VT3组成了反馈互锁电路，故VT2、VT3保持导通，VT4导通，从而使功率场效应晶体管导通。当ui由高电平变低时，在副边绕组感应出一个负向尖脉冲，使VT2截止，VT3、VT4截止， VT5瞬间导通，从而关断功率场效应晶体管。 2.1.8 绝缘栅双极型晶体管（IGBT） 绝缘栅双极型晶体管属于电压控制元件，输入阻抗大、开关速度高等，现在是电力电子装置中主导器件。 1.结构和工作原理 （1）结构 基础结构图3－19(a)所表示，相当于一个用MOSFET驱动厚基区PNP晶体管。 （2）工作原理 当栅极加