微电子概论第七组离子扩散和注入期末考试题.docxVIP

第七节内容期末测试题 一、名词解释 1. 半导体材料只有通过一定方式进行掺杂形成 PN 结：常用的掺杂方 式有哪两种？ 答：扩散和离子注入 2.解释“主动的扩散” 答：是指人为的在一个特定区域内， 通过杂质扩散的方式实现某种杂志分布，杂质源可以来自外界， 或者是内部已存在的杂质梯度分布 。 解释“被动的扩散” 答：是指由于工艺过程中的热开销造成的杂质再分布 4.解释“代位型杂质” 答：元素周期表中的位置与硅邻近的如：硼、铝、镓、铟等，它们在硅中有较高的溶解度，在硅晶格格点得位置。 解释“间歇性扩散” 答：是指杂质在硅晶体的间隙中移动 解释“代位式扩散” 答：是指杂质通过和硅或空位交换位置，来实现杂质扩散 解释“间隙杂质” 答：代位型杂质被处于间隙的硅原子所取代 解释“ Fick 扩散方程” 答：用来定量描述杂质在硅中的扩散行为 解释“恒定表面浓度扩散” 答：杂质原子由气态源提供并维持恒定的表面浓度 10.解释“恒定杂质总量扩散” 杂答：质通过某种形式预淀积在硅片表面， 在扩散过程中杂质总 量恒定不变 二、简答题 1、问：简述温度与扩散系数的关系 答：温度是影响扩散系数的最主要因素， D(扩散系数 )与 T 成指数关系，随着温度的升高，扩散系数急剧增大，扩散加剧。温度增高，原子振动能增加，借助于能量起伏而越过势垒进行迁移的原子几率越大；温度增高，金属内部的空位浓度提高，有利于扩散。 2、问 :简述杂质在硅晶体中的两种扩散机制。 答：（1）间隙式扩散指间隙式杂质从一个间隙位置运动到相邻的间隙 位置。间隙杂质在间隙位置上的势能相对极小， 它要运动到相邻的间 隙位置上，必须越过高度为 Wi＝0.6~1.2eV 的势垒，这个能量可依靠 热涨落获得。 2）替位式扩散是指替位杂质从一个晶格位置运动到另一个晶格位置上。首先，替位杂质的近邻要有空位，形成一个空位所需能量为 Wv ；其次，替位杂质在晶格位置上相对势能最低，而间隙位置处的 势能最高，它要运动到近邻晶格上，必须越过高度为 Ws 的势垒。所 以，替位杂质要依靠热涨落获得大于 Wv+Ws 的能量才能进行扩散。 3、问：写出菲克第一定律和菲克第二定律的表达式。 答：菲克第一定律的表达式 J ( x,t ) D  dC(x, t) dx 它揭示的含义为：杂质的扩散流密度 J 正比于杂质浓度梯度 ?C/?x ，正比于杂质在基体中的扩散系数 D(体现了温度 T 与扩散流密度 J 的 关系 )。 菲克第二定律也即扩散方程，其表达式为 C (x, t ) 2C ( x, t ) t D 2 x 针对不同边界条件求出该方程的解，可得出杂质浓度 C 的分布，即 C 与 x 、 t 的关系。 4、问：杂质的扩散需具备那些条件 ? 答：杂质的扩散在集成电路工艺中是一个很普通的现象， 其发生的必要条件是杂质分布存在着浓度梯度。 除此之外，杂质原子必须吸收一定的能量，推动其离开原来的平衡位置， 朝浓度梯度减小的方向运动。5、问：杂质扩散分为主动和被动两种情况， 请分别阐述着两种情况。答：杂质扩散分为主动和被动两种情况， 主动的杂质扩散是指人为地在一个特定区域内， 通过杂质扩散的方式实现某种杂质分布， 杂质源可以来自外界， 或者是内部已存在的杂质梯度分布； 被动的杂质扩散是指由于工艺过程中的热开销造成的杂质再分布。 三、论述题 Ic fabrication 产业发展至今已有 50 多年的历史，其发展史就是一个不 断创新的过程， 这种创新不光光是原始的创新， 更是技术创新和应用 创新等等，晶体管的发明并不是一个孤立的精心设计的实验， 而是一 系列固体物理、半导体物理、材料科学等取得重大突破后的必然结果， 请以你所学的知识说一说 ic fabrication 中包含有哪些知识和技术的应 用？