IR2101应用笔记(IR2101)(全桥)(MOS).pdf

IR2101 应用笔记（IR2101 ）（全桥）（MOS ） 摘要： IR2101 是半桥驱动，当然IR 也有全桥的驱动，但因为手上正好有IR2101 ，所以就用两片IR2101+4 个NMOS 做了一个全桥驱动。 介绍： IR2101 内部框图如下： Datasheet 上给出的参考电路如下： 原理分析： 下桥导通不用分析，关键是上桥。 NMOS 需要在G-S 极加10V~20V 电压才能完全导通。C1 和D1 的作用是与负载（P1 ）组成一个BOOST 升压电路，在VB 脚上产生一个VCC+12V 的电压，芯片会 用VB 脚的电压来驱动NMOS 上管。C1 正常升压的前提是IR2101 先开通下管（Q4 ），给C1 充电，然后再开上管（Q2 ）；如果上桥需要保持一个 较长的时间则需 要重复充电的动作来保证VB 脚的电位不会低于VCC+10V （C1 要求是低漏电耐纹波长寿型的）。 如果半桥恒导通，即Q2 和Q3 恒导通，这样上管Q2 的S 极电位就变成了VCC，而G 级必须 S 级高10V～20V 才能保持Q2 的DS 导通，否则管子会进入线性区 开始发热。 如何才能半桥恒导通：使用主动升压电路来代替D1 C1，主动升压到VCC+12V，输入IR2101 的VB 脚，C2 保留D1 去掉。 D3~D6 的作用：关断时为快速泄放MOS 管GS 寄生电容上的电荷一般采取在限流电阻上并一个二极管的做法，这样可以加快关断速度。 IR2101 应用笔记（IR2101 ）（全桥）（MOS ） IR2101 应用笔记（IR2101 ）（全桥）（MOS ）