PN结作业题部分答案(西电).docxVIP

晶体管原理(pn结部分)----作业答案 1、 ⑴如果PN结的N区长度远大于Lp, P区长度为Wp,而且P区引出端处少数 载流子电子的边界浓度一直保持为 0,请采用理想模型推导该PN结电流-电压关系 式的表达形式(米用双曲函数表示) 若P区长度远小于Ln，该PN结电流-电压关系式的表达形式将简化为什么形式 推导流过上述PN结的总电流中In( Xp)和Ip(Xn)这两个电流分量之比的表达式 如果希望提高比值ln( Xp)/lp(Xn),应该如何调整掺杂浓度Na和Nd的大小 解：(两个区域可以分别采用两个坐标系，将坐标原点分别位于势垒区两个边界 处，可以大大简化推导过程中的表达式) (1)分析的总体思路为： I I n(x) I p (X) I n(Xn) I p (Xn) In ( Xp ) I p( Xn ) 再分别解N,P区少子连续性方程，求出In( Xp)和Ip(Xn). a)在稳态时，在N区内部，少子空穴的连续性方程为： D山2dxEx|d P D山 2dx Ex| d Pn dx d Ex Ppn dx Pn Pn0 0 P 小注入时,d Ex /dx项可以略去，Ex 0,故 D 二 D 二 P dx2 Pn Pn0 0 解此方程得通解为: Pn(X) Pn(X)Pn0Aex/LpBex/Lp Pn(X) Pn(X) Pn0 Ae x/Lp Bex/Lp 其中，扩散长度Lp 1/2 Dpg p 边界条件为：X 山0 ； X Xn 日寸,Pn(Xn) Pn0 exp(eVL) KI 由边界条件求出系数可得解的结果为： Pn (X) Pn0(exp(eVa /kT) 1)gexp((x. x)/ Lp) J p(x)eDp^^P dxeDp J p(x) eDp^^ P dx eDpPn0 Lp )1)gexp( Xn Jp(x Xn) eDpPn。[exp(空)1] Lp kT b）同理，在N区少子空穴的连续性方程的通解为 np(x) np(x) npo Ae x/Ln Bex/Ln 其中，扩散长度Ln Dngn 2 边界条件为（以结区与P区的界面处作为坐标原点，以从结区向P区的方向作为 正方向）： x 0 时，np(x 0) npgexp(eVa / kT); x Wp 时,n p(x Wp) 0 ; 由边界条件求出系数A,B可得解的结果为： sinh(Wp /LJJn(x) eDnd np(x)dxeDnnp0 cosh(x / Ln) [exp(eVa / kT) 1]gcosh[(Wp sinh(Wp /LJ Jn(x) eDn d np(x) dx eDnnp0 cosh(x / Ln) [exp(eVa / kT) 1]gcosh[(Wp x) / Ln] g Ln sin h(Wp/Ln) Jn(X Xp) Jn(X 0) eDnnp。1 [exp( eVa / kT) 1]gcosh(Wp / Ln) n sinh(Wp /Ln) 综合a,b.有: J Jp( J Jp(xn) Jn( xp) eDp pn0 Lp [exp(eVa/kT) 1] eDnnp0 1 [exp(eVa / kT) 1]gcosh(Wp / Ln) Ln g sinh(Wp/ Ln) （2）由于Wp = Ln，所以有: Wp xsin h(- Wp x sin h(- Ln Wp x (一 Ln ) sinh(Wp) sinh(Wp) Ln Wp匸) n x sinh() Ln 于是，式可简化为: x Wp np(x) n po[( — )exp(eVa / kT) 1] VVp J n ( X ) eDn d np(x ) eDnnp° __dX[ Wp x Wp exp(eVa/kT)]g(〒)exp(eVa/kT) 1] Jn(X Xp) Jn(X 0) eD』。0gexp(eVa / kT)gexp(eVa / kT) 1] Wp 于是，由式和式得： J J p(x Xn) Jn(X Xp) eDpPn。 eDnn”” [p — - exp(eVa/kT)]gexp(eVa/kT) 1] Lp po Wp — (3)由式和式可得: 1 n ( xp) Jn ( Xp ) I p(Xn) Jp(Xn) D nn p°L p gsxp(eVa / kT) DpPnoWp 由于,Dn kT n , Dp kT p.且 np0 2 2 Pp0 ni / Na , Pn0 ni /nn0 n2 / N 于是: ln( Xp) I p (Xn) n Nd Lp gexp(eVa / kT) p NaWp (4)可以通过增大Nd或减小Na或减小Wp或增大Va来提高比值 1 n ( Xp) / 1 p (Xn). 2、A ste