霍尔效应的原理图介绍.ppt

第六章 霍尔传感器;概述： 霍尔元件是一种基于霍尔效应的磁传感器，得到广泛的应用。可以检测磁场及其变化，可在各种与磁场有关的场合中使用。霍尔器件以霍尔效应为其工作基础。;霍尔效应原理图;霍尔元件 ; 设图中的材料是Ｎ型半导体，导电的载流子是电子。在ｚ轴方向的磁场作用下，电子将受到一个沿ｙ轴负方向力的作用，这个力就是洛仑兹力。它的大小为：FL=－evB ; 电荷的聚积必将产生静电场，即为霍尔电场，该静电场对电子的作用力为FE与洛仑兹力方???相反，将阻止电子继续偏转，其大小为; 设流过霍尔元件的电流为 I 时，;令 ;KH为霍尔元件的灵敏度。 由上述讨论可知，霍尔元件的灵敏度不仅与元件材料的霍尔系数有关，还与霍尔元件的几何尺寸有关。一般要求霍尔元件灵敏度越大越好，霍尔元件灵敏度的公式可知，霍尔元件的厚度d与KH成反比。;通过以上分析可知：;2）霍尔电压UH与元件的尺寸有关。 d 愈小，KH 愈大，霍尔灵敏度愈高，所以霍尔元件的厚度都比较薄，但d太小，会使元件的输入、输出电阻增加。 霍尔电压UH与控制电流及磁场强度成正比，当磁场改变方向时，也改变方向。;若磁场B和霍尔元件平面的法线成一角度θ，则作用于霍尔元件的有效磁感应强度为B cosθ，因此 UH=KHIBcosθ;3）P型半导体，其多数载流子是空穴，也存在霍尔效应，但极性和N型半导体的相反。 4）霍尔电压UH与磁场B和电流I成正比，只要测出UH ，那么B或I的未知量均可利用霍尔元件进行测量。;一、霍尔元件的基本结构组成 由霍尔片、四根引线和壳体组成，如下图示。;国产霍尔元件型号的命名方法;二、主要技术指标;; 霍尔元件的乘积灵敏度定义为在单位控制电流和单位磁感应强度下，霍尔电势输出端开路时的电势值，其单位为V（AT），它反应了霍尔元件本身所具有的磁电转换能力，一般希望它越大越好。;3、输入电阻Ri和输出电阻R0;;3.最大磁感应强度BM; 在额定控制电流 Ic 之下，不加磁B＝0时，霍尔电极间的空载霍尔电势UH≠0，称为不平衡(不等位)电势，单位为mV。一般要求霍尔元件的UH1mV，好的霍尔元件的UH可以小于0.1mV。 不等位电势和额定控制电流Ic之比为不等位电阻RM，即 ; 不平衡电势UH是主要的零位误差。因为在工艺上难以保证霍尔元件两侧的电极焊接在同一等电位面上。如下图(a)所示。当控制电流I流过时，即使末加外磁场，A、B两电极此时仍存在电位差，此电位差被称为不等位电势（不平衡电势）UH。; 在一定的磁感应强度和控制电流下，温度变化1℃时，霍尔电势变化的百分率称为霍尔电势温度系数α，单位为1／℃。;一、基本测量电路 控制电流I由电源E供给，电位器R调节控制电流I的大小。霍尔元件输出接负载电阻RL，RL可以是放大器的输入电阻或测量仪表的内阻。由于霍尔元件必须在磁场与控制电流作用下，才会产生霍尔电势UH，所以在测量中，可以把 I; 为了获得较大的霍尔输出电势，可以采用几片叠加的连接方式。下图(a)为直流供电，控制电流端并联输出串联。下图(b)为交流供电，控制电流端串联变压器叠加输出。; 由于载流子浓度等随温度变化而变化，因此会导致霍尔元件的内阻、霍尔电势等也随温度变化而变化。这种变化程度随不同半导体材料有所不同。而且温度高到一定程度，产生的变化相当大。温度误差是霍尔元件测量中不可忽视的误差。 针对温度变化导致内阻(输入、输出电阻)的变化，可以采用对输入或输出电路的电阻进行补偿。 ;合理选择负载电阻;当温度由T变为T+ΔT时，则RL上的电压变为; 对于一个确定的霍尔元件，可以方便地获得α、β和R0的值，因此只要使负载电阻RL满足上式，就可在输出回路实现对温度误差的补偿了。虽然RL通常是放大器的输入电阻或表头内阻，其值是一定的，但可通过串、并联电阻来调整RL的值。;（三）采用热敏元件;图（a）是在输入回路进行温度补偿电路，当温度变化时，用Rt的变化来抵消霍尔元件的乘积灵敏度KH和输入电阻Ri变化对霍尔输出电势UH的影响。; 图（b）则是在输出回路进行温度补偿的电路，当温度变化时，用Rt的变化来抵消霍尔电势UH和输出电阻R0变化对负载电阻RL上的电压UL的影响。 在安装测量电路时，应使热敏元件和霍尔元件的温度一致。; 不等位电势是霍尔元件在加控制电流而不加外磁场时，而出现的霍尔电势称为零位误差。 在分析不等位电势时，可将霍尔元件等效为一个电桥，如右图所示。