光电功能主要材料及性质.ppt

光电功能的主要材料及性质;薄膜功能材料;制备方法简介;制备方法简介;真空成膜技术 ;真空区域的划分 目前尚无统一规定，常见的划分为： 粗真空 低真空 高真空 超高真空 极高真空 ;真空镀膜总的原理图;制备方法简介;制备方法简介;电阻热蒸发：;常用蒸发源;制备方法简介;电子束热蒸发;制备方法简介;;制备方法简介;制备方法简介;制备方法简介;制备方法简介;制备方法简介;制备方法简介;制备方法简介;制备方法简介;磁控溅射;溅射靶材;制备方法简介;制备方法简介;制备方法简介;制备方法简介;制备方法简介;主要功能薄膜材料;主要功能薄膜材料;主要功能薄膜材料;主要功能薄膜材料;主要功能薄膜材料;主要功能薄膜材料;主要功能薄膜材料;主要功能薄膜材料;主要功能薄膜材料;主要功能薄膜材料;主要功能薄膜材料;主要功能薄膜材料;主要功能薄膜材料;主要功能薄膜材料;主要功能薄膜材料;主要功能薄膜材料;主要功能薄膜材料;主要功能薄膜材料;主要功能薄膜材料;主要功能薄膜材料;主要功能薄膜材料;主要功能薄膜材料;主要功能薄膜材料;主要功能薄膜材料;影响因素;影响因素;LB膜;Langmuir-Blodgett 薄膜;LB膜发展历史;LB膜技术;LB膜槽示意图;典型的LB膜材料及有序单分子层的形成 ;先将两性成膜材料溶解到诸如氯仿等有机溶剂中，再将其滴注到亚相液面上，待亚相液面上的溶剂挥发后，具有双亲基团的分子便留在液面上。 亲水与疏水共同作用的结果是：在液面上形成单分子层，亲水基团位于靠近水的一侧，而疏水基团则位于空气的一侧 当用挡板对亚相液面上的单分子层进行压缩时，由于亲水基团和疏水基团的作用，就使得分子一个个整齐地“站立”于亚相表面上，从而形成了整齐有序密集排列的单分子层 ;LB膜的淀积方法 ;（1）垂直提拉法 ;（2）水平附着法 ;LB膜技术的优点;LB膜技术的缺点;LB膜材料基本要求;2. 溶剂的选择 　化学惰性，不与成膜物质和亚相反应； 　对成膜物质有足够的溶解能力； 　不溶解于亚相； 　挥发速度适中； 　具有相对较低的密度； 　高纯度。 ;3. 亚相 亚相通常为超纯水，有时也会引入金属离子。;4.　基片 常用的基???有石英玻璃、硅片、CaF2 片、云母片、ITO导电玻璃、不锈钢片、半导体基片和铂、金等金属片。 基片用于沉积LB膜之前常常要进行亲水或疏水处理。;LB膜的应用： 电子束刻蚀、润滑材料、分子导线和二维导电膜、 超薄绝缘膜、 液晶器件（铁电液晶的表面取向）、光电转换膜（分子电池和分子开关）、电光转换膜（电致发光平板彩色显示器）、光致变色膜（高密度并行多信号记录材料、非线性光学膜（各种非线性器件）、各类传感器（红外，气敏等）、仿生膜（嗅觉、视觉等人工器件）等等;表面分子自组装研究及应用;SA（self assembly)膜;所谓自组装(self-assembly)，顾名思义就是自发地组装，通常是通过分子间的化学键或超分子作用在一定的条件下自发地形成特定的有序结构。目前，自组装体系的研究不仅限于膜体系，还包括纳米管、微阵列等的组装。;自组装膜主要特点;?早在1946年，Zisman发明了用吸附(自组装)的方法在洁净的金属表面制备单分子层的方法，当时由于没有意识到自组装的潜在优势，所以没有激发多少科学家的兴趣。（ Bigelow W C, Pickett D L, Zisman W A. J. Colloid Interfa ce Sci., 1946, 1: 513 - 517） ?1980年德国Gottingen的Kuhn实验室.经过多年实践，他们用氯硅烷的衍生物在玻璃表面进行组装，得到了疏水的单分子膜［4］真正有关自组装的早期研究工作始.（ Sagiv J. J. Am. Chem. Soc.,1980,102:92-98） ?1983年，Nuzzo等用二正烷基二硫醚的稀溶液在金表面进行组装，得到了硫醇的单分子层. 从此自组装技术才真正引起人们的重视，并且得到了广泛的研究，建立了多种自组装体系.（Nuzzo R G, Allara D L. J. Am. Chem. Soc., 1983, 105: 4481 -4 483）;自组装过程;常用活性基团有： －COOH、－PO3-、－SO3-、－OH、－NH2 等等 基板可以是： 金属（如Au、Ag等等） 金属氧化物（如AgO、CuO、Al2O3、ITO等等） 非金属氧化物（如石英、玻璃等） 半导体材料 （如硅、锗等）等等 溶液浓度根据具体体系而定，一般比较稀，大约10-3－10-4mol/L.;自组装驱动力：; 自组装驱动力的种类还有很多，比如离子键组装、电荷交换组装等，也可以是两种或多种驱动