半导体器件应用基础：半导体工艺-氧化.pptVIP

半导体工艺简介 名称 集成度 （数字MOS集成电路） 小规模集成电路（SSI） 100 中规模集成电路（MSI） 102~103 大规模集成电路（LSI） 103~105 超大规模集成电路（VLSI） 105~107 甚大规模集成电路（ULSI） 107~109 巨大规模集成电路 109（10亿） 室内环境：要求很严，恒温、恒湿、气流 环境 级别 最大颗粒尺寸（?m） 甚大规模集成电路生产车间(107~109) 1 0.1 超大规模集成电路生产车间(105~107) 10 0.3 封装区域 1000~10000 0.5 住房 100 000 室外 500 000 硅——热氧化 什么是硅的热氧化？What？ 氧化(oxidation)： 狭义地，氧元素与其他的物质元素发生的化学反应，称其为氧化。 广义地，指物质失电子（氧化数升高）的过程。 硅的热氧化：在一定温度下，硅发生化学反应形成SiO2过程。 二氧化硅层的用途 1、表面钝化 2、掺杂阻挡层 3、表面绝缘体 4、器件绝缘体 为什么对硅进行氧化？Why？ 怎样进行氧化？How？ 1、氧化反应过程；控制机制 2、氧化厚度与哪些因素有关？ 3、氧化质量？均匀性，厚度，绝缘性 问题！！！ O2 O2 O2 100nm Tox=(B/A)t 线性阶段 Original Si 100nm Tox=(Bt)1/2 抛物线阶段 干